电流隔离的4A SiC MOSFET单个栅极驱动器电压为4800V
发布时间:2021/4/23 21:35:52 访问次数:846
STGAP2SICS是电流隔离的4A SiC MOSFET单个栅极驱动器,驱动电流4A和轨到轨输出.
器件有两种不同的配置.独立输出引脚配置允许采用专用的栅极电阻以得到单独的最佳开和关.配置具有单输出引脚和米勒钳位(CLAMP)功能,在半桥拓扑的快速换向时阻止栅极尖峰的发生.
市场对逆变器和所需直流链路电容器的要求日益严格，其中包括以紧凑尺寸提供高能量密度、控制快速开关操作、大电流能力、高工作温度、与IGBT模块的机械兼容性，以及长使用寿命。
意法半导体还提供了EVALSTPM-3PHISO，一个专门为三相隔离电表系统用例制作的参考设计。
具有1200Vpeak的最大工作隔离电压(VIOWM)和高冲击耐受电压(VIOTM)，STISO621电流隔离功能不随时间变化，在任何系统故障期间，保持电流隔离功能的完整性。
有两款封装可选，STISO621采用4mm爬电距离和电气间隙的SO8窄体封装，VIOTM 电压为4800V。STISO621W采用爬电距离和间隙为8mm的SO8宽体封装，VIOTM为6000V。
在-40°C到125°C的温度范围皆可保证其高性能。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
STGAP2SICS是电流隔离的4A SiC MOSFET单个栅极驱动器,驱动电流4A和轨到轨输出.
器件有两种不同的配置.独立输出引脚配置允许采用专用的栅极电阻以得到单独的最佳开和关.配置具有单输出引脚和米勒钳位(CLAMP)功能,在半桥拓扑的快速换向时阻止栅极尖峰的发生.
市场对逆变器和所需直流链路电容器的要求日益严格，其中包括以紧凑尺寸提供高能量密度、控制快速开关操作、大电流能力、高工作温度、与IGBT模块的机械兼容性，以及长使用寿命。
意法半导体还提供了EVALSTPM-3PHISO，一个专门为三相隔离电表系统用例制作的参考设计。
具有1200Vpeak的最大工作隔离电压(VIOWM)和高冲击耐受电压(VIOTM)，STISO621电流隔离功能不随时间变化，在任何系统故障期间，保持电流隔离功能的完整性。
有两款封装可选，STISO621采用4mm爬电距离和电气间隙的SO8窄体封装，VIOTM 电压为4800V。STISO621W采用爬电距离和间隙为8mm的SO8宽体封装，VIOTM为6000V。
在-40°C到125°C的温度范围皆可保证其高性能。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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