小型8引脚SOIC8 SMD封装1Mbps时每路的电流1.8mA
发布时间:2021/5/5 0:01:36 访问次数:389
1Mbps时每路的电流为1.8mA,传输时延为11ns,器件工作温度–40C 到 +125C,满足AEC-Q100规范和VDA320隔离要求.
通过对非易失性存储器进行编程，可以根据磁路调整诸如温度相关增益和失调之类的主要特性。
主要用在混合和电动荡汽车牵引系统,电池管理系统(BMS),车载充电器,牵引逆变器,DC/DC转换器,逆变器和马达控制,电源,电网和电表以及电器设备.
制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SSOT-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.6 ARds On-漏源导通电阻:115 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 VQg-栅极电荷:6.2 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:500 mW通道模式:Enhancement商标名:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:1.12 mm长度:2.9 mm产品:MOSFET Small Signal系列:晶体管类型:1 P-Channel类型:MOSFET宽度:1.4 mm商标:ON Semiconductor / Fairchild正向跨导 - 最小值:6 S下降时间:11 ns产品类型:MOSFET上升时间:11 ns3000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:16 ns典型接通延迟时间:10 ns零件号别名:FDN338P_NL单位重量:30 mg
器件的数据速率为50Mbps,隔离层在1060 VRMS工作电压首有高寿命,高达5000 VRMS隔离指标,典型CMTI为±75 kV/μs,电源电压为1,71V到1.89V和2.25V到5.5V.具有1.71V到5.5V的电平转移.
可配置用于读出多个霍尔阵列的高精度线性电流感测或差分无芯和杂散场鲁棒电流感测.
CUR 4000被定义为支持SEooC ASIL-B，具有数种板载诊断功能，该功能使用冗余技术或与其他电流传感技术相结合，为具有更高ASIL级别的电流传感器模块奠定了基础。
CUR 400采用小型8引脚SOIC8 SMD封装，与通孔封装相比，其组装复杂度较低。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
1Mbps时每路的电流为1.8mA,传输时延为11ns,器件工作温度–40C 到 +125C,满足AEC-Q100规范和VDA320隔离要求.
通过对非易失性存储器进行编程，可以根据磁路调整诸如温度相关增益和失调之类的主要特性。
主要用在混合和电动荡汽车牵引系统,电池管理系统(BMS),车载充电器,牵引逆变器,DC/DC转换器,逆变器和马达控制,电源,电网和电表以及电器设备.
制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SSOT-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:1.6 ARds On-漏源导通电阻:115 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 VVgs th-栅源极阈值电压:1.5 VQg-栅极电荷:6.2 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:500 mW通道模式:Enhancement商标名:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single高度:1.12 mm长度:2.9 mm产品:MOSFET Small Signal系列:晶体管类型:1 P-Channel类型:MOSFET宽度:1.4 mm商标:ON Semiconductor / Fairchild正向跨导 - 最小值:6 S下降时间:11 ns产品类型:MOSFET上升时间:11 ns3000子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:16 ns典型接通延迟时间:10 ns零件号别名:FDN338P_NL单位重量:30 mg
器件的数据速率为50Mbps,隔离层在1060 VRMS工作电压首有高寿命,高达5000 VRMS隔离指标,典型CMTI为±75 kV/μs,电源电压为1,71V到1.89V和2.25V到5.5V.具有1.71V到5.5V的电平转移.
可配置用于读出多个霍尔阵列的高精度线性电流感测或差分无芯和杂散场鲁棒电流感测.
CUR 4000被定义为支持SEooC ASIL-B，具有数种板载诊断功能，该功能使用冗余技术或与其他电流传感技术相结合，为具有更高ASIL级别的电流传感器模块奠定了基础。
CUR 400采用小型8引脚SOIC8 SMD封装，与通孔封装相比，其组装复杂度较低。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
