CN-B110系列采用紧凑型结构设计，功率部分采用导热性能优异的铝基板工艺，功率器件与散热铝基板之间通过焊接方式传导热量，极低的热阻可以确保功率器件内核温度在恶劣环境或大冲击负载条件下依然具备足够裕量。

内置5V 2A辅助电源、遥控开关、远端补偿与Power Good信号(同时监测输入与输出状态)。

标准型号以固定电压输出, 可选型号包括：/ADJ(输出电压可调), /EF(风扇与外壳), /C(焊接面涂层)与/SF(单保险丝)。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

400毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 320μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

超级结

功率耗散（最大值）

118W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

漏源电压（Vdss）

650V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

39nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

710pF @ 100V

基本产品编号

IPD65R400

环境与出口分类

属性 描述

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 (MSL) 3（168 小时）

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

控制电路采用双层架空设计，利用空气隔热层将光耦等温度敏感器件与发热量较大的功率部分隔绝开来，避免功率器件向控制电路的热量传导、累积带来的整体可靠性降低。

为了满足轨道交通行业输入对机壳高耐压需求趋势，与前一代产品CN-A110系列相比，CN-B110 系列 DC-DC变换器将输入对机壳耐压指标从上一代产品的2kVAC提升至2.5kVAC。

全电压范围85 - 264Vac输入,效率高达96.5%。工作温度范围从-20到+70°C。遥控关机时的待机空耗小于0.5W。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）