在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。

本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。

制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品:Spartan-3 系列:XC3S400 逻辑元件数量:8064 LE 输入/输出端数量:173 I/O 工作电源电压:1.2 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 100 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 商标:Xilinx 栅极数量:400000 分布式RAM:56 kbit 内嵌式块RAM - EBR:288 kbit 最大工作频率:280 MHz 湿度敏感性:Yes 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:90 子类别:Programmable Logic ICs 商标名:Spartan 单位重量:32.559 g

电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

中微公司双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star®。

基于中微公司业已成熟的单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。