新元件的端接电压缩减PCB电路板尺寸钳位电压为7.2V
发布时间:2021/4/29 18:11:52 访问次数:309
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V；当峰值脉冲电流为16 A时，端接电压为8 V。
不同类型的新元件可提供不同的寄生电容，其中SD0201SL-GP101型的寄生电容为12 pF，而SD01005SL-GP101型的寄生电容为5 pF。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:20 A Rds On-漏源导通电阻:270 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:85 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:190 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:20.15 mm 长度:15.75 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:15 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:70 ns 典型接通延迟时间:28 ns 单位重量:38 g
这种创新设计的另一个优势是无内部接线，因为线圈的末端已经被设计为接线端子。这种设计原理为汽车应用带来两个显著优势：大大提高了可靠性，可实现超低的RDC值。
通过创新的设计理念，CLT32系列电感器的尺寸仅为3.2 x 2.5 mm2，高度仅为2.5 mm，所需安装空间还不到同类竞品的四分之一。
其中关键因素是在PMIC拓扑中可同时使用多个该系列的功率电感器，从而显著缩减PCB电路板尺寸。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V；当峰值脉冲电流为16 A时，端接电压为8 V。
不同类型的新元件可提供不同的寄生电容，其中SD0201SL-GP101型的寄生电容为12 pF，而SD01005SL-GP101型的寄生电容为5 pF。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:20 A Rds On-漏源导通电阻:270 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:85 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:190 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:20.15 mm 长度:15.75 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:15 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:70 ns 典型接通延迟时间:28 ns 单位重量:38 g
这种创新设计的另一个优势是无内部接线，因为线圈的末端已经被设计为接线端子。这种设计原理为汽车应用带来两个显著优势：大大提高了可靠性，可实现超低的RDC值。
通过创新的设计理念，CLT32系列电感器的尺寸仅为3.2 x 2.5 mm2，高度仅为2.5 mm，所需安装空间还不到同类竞品的四分之一。
其中关键因素是在PMIC拓扑中可同时使用多个该系列的功率电感器，从而显著缩减PCB电路板尺寸。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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