用于中心局DSLAM线路卡上的ADSL芯片组，每端口只消耗340mW和需要低于一平方英吋的面积，是业界中最小的。

芯片组共有两片，可提供高达12Mbps的速率，同时增加服务范围50%。该芯片组支持全球ADSL标准，包括Annex A, B, C, H,和G.992.1/.2

电压反馈(VFB)运算放大器THS4271/5，采用该公司第二代互补双极工艺技术制造，在30MHz的频率，它的总失真(THD)为-90dB,是业界中最低的。

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    149 A    

Rds On-漏源导通电阻:    2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    44 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   70 S  

下降时间:   4.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   6.8 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   28 ns  

典型接通延迟时间:   5.4 ns  

零件号别名:  BSZ019N03LS SP000792362  

单位重量:  120 mg  

16位低功耗逐次逼近模数转换器(ADC)MAX1165/MAX1166，它具有自动降功耗功能，工厂调整好内部时钟和16位宽(MAX1165)或字节宽(MAX1166)并行接口等性能。

器件工作在单电源4.75V-5.25V模拟电压和2.7V-5.25V数字电压。

MAX1165/MAX1166采用内部或外部的基准电压源4.096V，取样速率为165ksps时，用外部基准电压源仅消耗1.8mA电流，用内部基准电压源为2.7mA。

MAX1165/MAX1166很适合用在高性能，以电池为能源和数据采集的应用。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）