CLT32系列新型功率电感器使用了创新设计原理。这涉及到通过特殊的铁磁性塑料复合材料模压成型的实心铜线圈。

此外，新元件还具有其他特点和优势，比如响应时间短，漏电流低（仅2 nA@3.3 V）。

除了尺寸，新系列还具有比竞品明显更好的电气性能。例如，相比于薄膜或金属复合技术，CLT32系列的高频交流电流损失明显要低得多。

超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。

制造商:Nexperia 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:12 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123-2 Pd-功率耗散:625 mW 电压容差:2 % 电压温度系数:8.4 mV/K 齐纳电流:100 nA Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:5 mA 资格:AEC-Q101 高度:1.15 mm 长度:2.675 mm 宽度:1.6 mm 商标:Nexperia If - 正向电流:100 mA Ir - 反向电流 :0.1 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量10000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:1.1 V 零件号别名:934071049118 单位重量:34 mg

主要应用

各种物联网 (IoT)、智能家居或工业4.0设备

智能手机、笔记本电脑、平板电脑、智能手表和助听器等

主要特点与优势

I/O接口的双向保护

ESD 保护性能满足 IEC 61000-4-2 标准要求

接触放电电压最高可达 24 kV

浪涌电流负载能力高达 8 A，满足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 标准要求

钳位电压：8 V

400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片级封装，占用空间极小

超低封装高度：仅100 μm

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）