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SRAM的高性能无阻塞128X128 I/O开关矩阵

发布时间:2021/4/13 8:52:39 访问次数:361

交叉开关OCX256,它被Chyron公司的Pro-Bel部门用在它们的天狼星路由器创新系列。

OXC256是基于SRAM的高性能无阻塞128X128 I/O开关矩阵,每端口传输667Mbps数据带宽。这种CMOS器件有高端口数,低功耗,快速配置,以实现先进的交换解决方案。

对于高带宽的应用,特殊广播模式以最大数据速率把单一输入连接到多个输出,而RapidConfigureTM并行接口使开关连接快速形成。

OCX256能立即在任一输入端和输出端发送宽带视频和音频信号,而不用外接转换设备。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    250 V    

Id-连续漏极电流:    10.9 A    

Rds On-漏源导通电阻:    146 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    11.4 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    62.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   7 S  

下降时间:   4 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   4 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   11 ns  

典型接通延迟时间:   6 ns  

零件号别名:  BSZ16DN25NS3 G SP000781800  

单位重量:  36.110 mg  

这款功能齐备的 GigPHYTER V 单通道以太网物理层芯片可支持 10BASE-T、100BASE-TX 及 1000BASE-T 等以太网协议,确保目前的快速以太网应用方案可在符合成本效益的基础上轻易升级。

GigPHYTER V 芯片采用创新的设计,使管芯体积可以大幅缩小,远比采用传统架构的物理层芯片为小。

GigPHYTER V 芯片具有模拟前端处理能力,因此芯片所需的数据总线带宽便可以大幅减少,而另一方面其动态范围又可大幅扩大,有助精简数字信号处理器的设计以及缩小其体积。

GigPHYTER V芯片在典型的操作情况下只需1.1W的功耗,因此无需采用具有较高导热能力的昂贵封装。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


交叉开关OCX256,它被Chyron公司的Pro-Bel部门用在它们的天狼星路由器创新系列。

OXC256是基于SRAM的高性能无阻塞128X128 I/O开关矩阵,每端口传输667Mbps数据带宽。这种CMOS器件有高端口数,低功耗,快速配置,以实现先进的交换解决方案。

对于高带宽的应用,特殊广播模式以最大数据速率把单一输入连接到多个输出,而RapidConfigureTM并行接口使开关连接快速形成。

OCX256能立即在任一输入端和输出端发送宽带视频和音频信号,而不用外接转换设备。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    250 V    

Id-连续漏极电流:    10.9 A    

Rds On-漏源导通电阻:    146 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    11.4 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    62.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   7 S  

下降时间:   4 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   4 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   11 ns  

典型接通延迟时间:   6 ns  

零件号别名:  BSZ16DN25NS3 G SP000781800  

单位重量:  36.110 mg  

这款功能齐备的 GigPHYTER V 单通道以太网物理层芯片可支持 10BASE-T、100BASE-TX 及 1000BASE-T 等以太网协议,确保目前的快速以太网应用方案可在符合成本效益的基础上轻易升级。

GigPHYTER V 芯片采用创新的设计,使管芯体积可以大幅缩小,远比采用传统架构的物理层芯片为小。

GigPHYTER V 芯片具有模拟前端处理能力,因此芯片所需的数据总线带宽便可以大幅减少,而另一方面其动态范围又可大幅扩大,有助精简数字信号处理器的设计以及缩小其体积。

GigPHYTER V芯片在典型的操作情况下只需1.1W的功耗,因此无需采用具有较高导热能力的昂贵封装。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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