ON/OFF控制来调整输出电压功率管理模块和LDO稳压器
发布时间:2021/4/28 18:27:42 访问次数:421
器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.
i.MX RT1170还提供各种存储器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各种连接外设如WLAN, Bluetooth™,GPS, 显示器和照相机传感器.
此外,器件还具有丰富的音频和视频特性如MIPICSI/DSI, LCD显示器,图像加速器,照相机接口,SPDIF和I2S音频接口.i.MX RT1170主要用在工业人机接口(HMI),马达控制,家用电器,高端音频设备,低端仪表盘和销售终端(PoS).
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
ON Semiconductor
系列
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
Vgs（最大值）
±8V
FET 功能
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）
漏源电压（Vdss）
20V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
405pF @ 10V
基本产品编号
FDS94
主要参数包括输出电压,开关频率,软起动时间,过流故障限制也能通过BOM选择进行配置而无需PMBus通信,从而支持无程序加电.
和通常的PWM控制器不同,LinkSwitch-XT2系列采用简化的ON/OFF控制来调整输出电压.其控制器包括振荡器,反馈(检测和逻辑)电路,5.0V稳压器,BYPASS引脚欠压电路,超温保护,线路和输出过电压保护,频率抖动,限流电路,前沿消隐和高压功率MOSFET.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.
i.MX RT1170还提供各种存储器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各种连接外设如WLAN, Bluetooth™,GPS, 显示器和照相机传感器.
此外,器件还具有丰富的音频和视频特性如MIPICSI/DSI, LCD显示器,图像加速器,照相机接口,SPDIF和I2S音频接口.i.MX RT1170主要用在工业人机接口(HMI),马达控制,家用电器,高端音频设备,低端仪表盘和销售终端(PoS).
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
ON Semiconductor
系列
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
Vgs（最大值）
±8V
FET 功能
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）
漏源电压（Vdss）
20V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
405pF @ 10V
基本产品编号
FDS94
主要参数包括输出电压,开关频率,软起动时间,过流故障限制也能通过BOM选择进行配置而无需PMBus通信,从而支持无程序加电.
和通常的PWM控制器不同,LinkSwitch-XT2系列采用简化的ON/OFF控制来调整输出电压.其控制器包括振荡器,反馈(检测和逻辑)电路,5.0V稳压器,BYPASS引脚欠压电路,超温保护,线路和输出过电压保护,频率抖动,限流电路,前沿消隐和高压功率MOSFET.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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