5V和3V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售，以支持封装系统。

新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。

我们nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

22A（Ta）. 40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.9 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8-FL

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

44nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2800pF @ 15V

基本产品编号

BSZ019

使用两个常开（SPST/A型）高压继电器，确保其中任何一个开关在闭合前另一个开关总是先断开。

相比于用一个继电器的方案，用两个继电器就需要两倍的PCB空间，而且容易造成复杂的驱动问题。另外，如果其中任何一个SPST继电器触点粘连了，就会有信号短路的意外风险。

Pickering的新款67-1-C高电压舌簧继电器能够在单独一个紧凑的元器件内确保实现先断后合 (Break-Before-Make)的操作。

67系列新款转换继电器在最高100W的功率下额定截止电压最高5kV，开关电压最高2.5kV。