新的小尺寸12乘10英吋的车规等级共模芯片电感器系列。

SRF3225AB和SRF3225TAC型共模芯片式电感器系列可在极宽的频率范围内提供低辐射和高阻抗，以抑制进入或离开系统的电磁干扰（EMI），使其成为在消费电子，工业用及其他应用领域进行设计和测试的出色解决方案。

Bourns新品新亮点：电感器线芯的两端各有一个0.2 到0.3毫米高的侧壁，旨在帮助增强元组件在板上组装后的机械强度。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 37 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 55 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 27 ns

典型接通延迟时间: 6 ns

零件号别名: SP001252032 BSZ025N04LSATMA1

单位重量: 36.760 mg

整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装，X型为Hyperfast超高速恢复整流器，H型为Ultrafast超快恢复整流器。

X型整流器的优点是QRR低，H型整流器的优点是正向压降低。器件符合RoHS标准，无卤素，工作结温达到+175 °C。

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40 °C至85°C）。

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