无线基础设备数字和扩频通信系统UPD301C独立PD控制器
发布时间:2021/4/15 20:39:47 访问次数:739
器件具有高度线性度,整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.
采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.主要用在宽带系统包括无线基础设备数字和扩频通信系统, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/卫星地面调制解调器,微波点对点系统,温度补偿电路,自动增益控制(ALC),发送器增益控制,接收器增益控制和通用测试设备.
在不受RoHS法规约束的应用领域中,这将是一个主要优势。
制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:350 mA Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V Qg-栅极电荷:0.6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:440 mW 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:2 N-Channel 商标:Nexperia 正向跨导 - 最小值:550 mS 下降时间:7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6 ns 工厂包装数量4000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:12 ns 典型接通延迟时间:5 ns 零件号别名:934064288115 单位重量:2.800 mg
PD架构的开放性使客户可以轻松地将USB-C / PD端口添加到各种嵌入式应用中,同时还允许客户将未使用的引脚或CPU存储器重新分配给其他系统功能,并支持多种Microchip SAM和PIC®单片机以及dsPIC®数字信号控制器(DSC)。
Microchip的PSF产品改变了将USB-C PD集成到客户系统中的方式。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
器件具有高度线性度,整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.
采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.主要用在宽带系统包括无线基础设备数字和扩频通信系统, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/卫星地面调制解调器,微波点对点系统,温度补偿电路,自动增益控制(ALC),发送器增益控制,接收器增益控制和通用测试设备.
在不受RoHS法规约束的应用领域中,这将是一个主要优势。
制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:350 mA Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V Qg-栅极电荷:0.6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:440 mW 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:2 N-Channel 商标:Nexperia 正向跨导 - 最小值:550 mS 下降时间:7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6 ns 工厂包装数量4000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:12 ns 典型接通延迟时间:5 ns 零件号别名:934064288115 单位重量:2.800 mg
PD架构的开放性使客户可以轻松地将USB-C / PD端口添加到各种嵌入式应用中,同时还允许客户将未使用的引脚或CPU存储器重新分配给其他系统功能,并支持多种Microchip SAM和PIC®单片机以及dsPIC®数字信号控制器(DSC)。
Microchip的PSF产品改变了将USB-C PD集成到客户系统中的方式。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)