FLIR C3-X/C5均内置FLIR Ignite™ 云连接，可实现直接数据上传、存储和备份，因此您可以随时在任何设备上查看图像。

FLIR C5的功能与C3-X很类似，但是包含了更强大的169 x 120（19200像素）分辨率的热像仪。

两款热像仪均采用FLIR MSX®（多波段动态成像），能够从内置可见光数码相机镜头提取场景细节，并将其显现于完整红外图像之中。

FLIR C3-X红外热像仪是一款3合1的工具，兼具红外热像仪、数码相机和手电筒的功能。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S, 70 S

下降时间: 2.4 ns, 3.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.4 ns, 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 12 ns, 25 ns

典型接通延迟时间: 1.8 ns, 5 ns

零件号别名: BSC0921NDI SP000934748

单位重量: 101.660 mg

MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。

MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）