位置:51电子网 » 技术资料 » 模拟技术

PWM逻辑和用来驱动外接FET的图腾柱驱动器

发布时间:2021/4/9 13:29:32 访问次数:524

UCC28810和UCC28811是中小功率通用LED照明电源控制器,具有功率因素修正(PFC)和EMC兼容特性.

UCC28810/1集成了用于反馈误差处理的跨导电压放大器,用来产生正比于输入电压的电流指令的电流基准发生器,电流检测(PWM)比较器,PWM逻辑和用来驱动外接FET的图腾柱驱动器.

此外,控制器还提供峰值电流限制,重起定时器,过压保护(OVP)以及使能等. 

UCC28810和UCC28811广泛用在交流输入HB LED照明,工业,商业和住宅区照明以及户外照明如路灯,停车场,建筑物和装饰性LED照明等.

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    60 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.7 V    

Qg-栅极电荷:    10 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    46 W    

通道模式:    Enhancement    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   25 S  

下降时间:   2.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   2.9 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   14 ns  

典型接通延迟时间:   5 ns  

零件号别名:  BSZ065N06LS5 SP001385612  

单位重量:  36.460 mg  

四频带M/GPRS单电源功率放大器(PA)模块采用了高阻抗集成的功率放大器(HIIPA)封装和增强型GaAs芯片生产工艺来制造。

MMM5062 PA模块采用HIIPA封装方法来提供50-欧姆解决方案而不用增加外接元件。

50-欧姆匹配网络阻抗是在芯片输出端用电容和电感来实现,所用的电容是集成在芯片上,而电感则用不同长度的导线键合而成。

MMM5062四频带E-模式和HIIPA模块是要用在2.5G手机。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

UCC28810和UCC28811是中小功率通用LED照明电源控制器,具有功率因素修正(PFC)和EMC兼容特性.

UCC28810/1集成了用于反馈误差处理的跨导电压放大器,用来产生正比于输入电压的电流指令的电流基准发生器,电流检测(PWM)比较器,PWM逻辑和用来驱动外接FET的图腾柱驱动器.

此外,控制器还提供峰值电流限制,重起定时器,过压保护(OVP)以及使能等. 

UCC28810和UCC28811广泛用在交流输入HB LED照明,工业,商业和住宅区照明以及户外照明如路灯,停车场,建筑物和装饰性LED照明等.

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    60 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.7 V    

Qg-栅极电荷:    10 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    46 W    

通道模式:    Enhancement    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   25 S  

下降时间:   2.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   2.9 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   14 ns  

典型接通延迟时间:   5 ns  

零件号别名:  BSZ065N06LS5 SP001385612  

单位重量:  36.460 mg  

四频带M/GPRS单电源功率放大器(PA)模块采用了高阻抗集成的功率放大器(HIIPA)封装和增强型GaAs芯片生产工艺来制造。

MMM5062 PA模块采用HIIPA封装方法来提供50-欧姆解决方案而不用增加外接元件。

50-欧姆匹配网络阻抗是在芯片输出端用电容和电感来实现,所用的电容是集成在芯片上,而电感则用不同长度的导线键合而成。

MMM5062四频带E-模式和HIIPA模块是要用在2.5G手机。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

热门点击

 

推荐技术资料

泰克新发布的DSA830
   泰克新发布的DSA8300在一台仪器中同时实现时域和频域分析,DS... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!