磁簧开关的局限性以及解决这些问题的TMR传感器IC的优势磁簧开关的局限性解决磁簧开关局限性的TMR传感器IC的优势易受振动和冲击的影响.

因此所需的工艺更少所使用的磁体不能缩小到特定尺寸以下尺寸只有常规磁簧开关的十分之一左右只要传感器处于开启状态，电流就会流过，从而使电池寿命变得不可靠纳米级电流消耗.

延长电池寿命ABLIC为用于检测水平磁场的“小巧、智能、简单”的产品系列增加了一种新的“S-5701 B系列”TMR传感器IC产品，可以提供给寻求磁簧开关替代品的客户，以进一步扩大我们的客户群。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 149 A

Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 44 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 70 S

下降时间: 4.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 5.4 ns

零件号别名: SP000792362 BSZ19N3LSXT BSZ019N03LSATMA1

单位重量: 100 mg

在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。

断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器.

超薄TSOT-23-3S封装可提供BOP = 1.0mT的高磁灵敏度产品.

应用场景替换磁簧开关使用该IC的产品举例窗户开关传感器、电子钥匙、烟雾探测器煤气表、水表、智能电表.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）