位置:51电子网 » 技术资料 » 模拟技术

VCSEL与专有的微透镜阵列技术(MLA)制成的光漫射器

发布时间:2021/4/3 22:45:31 访问次数:839

TARA2000-AUT系列产品是由ams内部设计制造的VCSEL与专有的微透镜阵列技术(MLA)制成的光漫射器相结合而成,所有元件均集成到单个模块中。

该照明器使用匹配的微光学元件来适应VCSEL发射器的特性,可产生高功率均匀光束,边缘到边缘地照射在整个矩形区域上。

这种严格控制的照明轮廓和FOI与2D/3D系统中使用的红外图像传感器的视角相匹配,提高了反射光信号的强度和完整性。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TFBGA-48 系列: 存储容量:16 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流(最大值):10 mA 接口类型:Parallel 组织:2 M x 8/1 M x 16 数据总线宽度:8 bit/16 bit 定时类型:Asynchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NOR 速度:70 ns 结构:Block Erase 商标:STMicroelectronics 电源电流—最大值:10 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 标准:Common Flash Interface (CFI) 187 子类别:Memory & Data Storage


80 V RET(配电阻晶体管)系列。

这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量,可用于48 V汽车板网(如轻度混合动力和EV汽车)和其他更高电压的电路,这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响,以前的50 V器件无法处理。

通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻,RET可以节省空间并降低制造成本。

器件具有100 mA的电流能力,并已获得AEC-Q101认证。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



TARA2000-AUT系列产品是由ams内部设计制造的VCSEL与专有的微透镜阵列技术(MLA)制成的光漫射器相结合而成,所有元件均集成到单个模块中。

该照明器使用匹配的微光学元件来适应VCSEL发射器的特性,可产生高功率均匀光束,边缘到边缘地照射在整个矩形区域上。

这种严格控制的照明轮廓和FOI与2D/3D系统中使用的红外图像传感器的视角相匹配,提高了反射光信号的强度和完整性。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TFBGA-48 系列: 存储容量:16 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流(最大值):10 mA 接口类型:Parallel 组织:2 M x 8/1 M x 16 数据总线宽度:8 bit/16 bit 定时类型:Asynchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 存储类型:NOR 速度:70 ns 结构:Block Erase 商标:STMicroelectronics 电源电流—最大值:10 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 标准:Common Flash Interface (CFI) 187 子类别:Memory & Data Storage


80 V RET(配电阻晶体管)系列。

这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量,可用于48 V汽车板网(如轻度混合动力和EV汽车)和其他更高电压的电路,这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响,以前的50 V器件无法处理。

通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻,RET可以节省空间并降低制造成本。

器件具有100 mA的电流能力,并已获得AEC-Q101认证。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



热门点击

 

推荐技术资料

泰克新发布的DSA830
   泰克新发布的DSA8300在一台仪器中同时实现时域和频域分析,DS... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!