GaN晶体管开关性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。

MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如，有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。

4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。

内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Reel    

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

产品类型:   MOSFET  

子类别:   MOSFETs  

零件号别名:  BSC0923NDI SP000934758

大功率分流电阻器获得高度好评的“PSR系列，通过施以引脚温度降额，将额定功率的保证值扩展至最大15W，并且还改善了电阻温度系数的规格值。

“PSR系列”拥有从0.1mΩ～3.0mΩ的超低阻值阵容，与“GMR系列”同为小型封装，都支持大功率和高精度检测，有助于汽车和工业设备实现小型化。

新产品“GMR320”已于2021年2月开始量产（300日元/个，不含税）。前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）。