Hyperfast超高速恢复整流器支持ECC RAM
发布时间:2021/4/5 14:41:27 访问次数:368
整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装,X型为Hyperfast超高速恢复整流器,H型为Ultrafast超快恢复整流器。X型整流器的优点是QRR低,H型整流器的优点是正向压降低。
产品还支持ECC RAM。闪存块交换功能与RA系列产品内置的固有安全性相结合,使RA6M5产品群成为需要现场固件更新功能应用的理想选择。
在使用后台运行功能(BGO)将新固件写入闪存后,可将选定数量的闪存块(每块32KB)进行交换,成为新固件的一部分。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
系列: BSZ120P03
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 22 S
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: BSZ120P03NS3E G SP000709730 BSZ12P3NS3EGXT
单位重量: 38.420 mg
电源电路应用示例应用
PFC电路的输出二极管
续流二极管
防止反向连接
钳位电路
其他通用电路
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装,X型为Hyperfast超高速恢复整流器,H型为Ultrafast超快恢复整流器。X型整流器的优点是QRR低,H型整流器的优点是正向压降低。
产品还支持ECC RAM。闪存块交换功能与RA系列产品内置的固有安全性相结合,使RA6M5产品群成为需要现场固件更新功能应用的理想选择。
在使用后台运行功能(BGO)将新固件写入闪存后,可将选定数量的闪存块(每块32KB)进行交换,成为新固件的一部分。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
系列: BSZ120P03
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 22 S
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: BSZ120P03NS3E G SP000709730 BSZ12P3NS3EGXT
单位重量: 38.420 mg
电源电路应用示例应用
PFC电路的输出二极管
续流二极管
防止反向连接
钳位电路
其他通用电路
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)