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Hyperfast超高速恢复整流器支持ECC RAM

发布时间:2021/4/5 14:41:27 访问次数:368

整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装,X型为Hyperfast超高速恢复整流器,H型为Ultrafast超快恢复整流器。X型整流器的优点是QRR低,H型整流器的优点是正向压降低。

产品还支持ECC RAM。闪存块交换功能与RA系列产品内置的固有安全性相结合,使RA6M5产品群成为需要现场固件更新功能应用的理想选择。


在使用后台运行功能(BGO)将新固件写入闪存后,可将选定数量的闪存块(每块32KB)进行交换,成为新固件的一部分。



制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 52 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: BSZ120P03

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 22 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 23 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

零件号别名: BSZ120P03NS3E G SP000709730 BSZ12P3NS3EGXT

单位重量: 38.420 mg


电源电路应用示例应用

PFC电路的输出二极管

续流二极管

防止反向连接

钳位电路

其他通用电路


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装,X型为Hyperfast超高速恢复整流器,H型为Ultrafast超快恢复整流器。X型整流器的优点是QRR低,H型整流器的优点是正向压降低。

产品还支持ECC RAM。闪存块交换功能与RA系列产品内置的固有安全性相结合,使RA6M5产品群成为需要现场固件更新功能应用的理想选择。


在使用后台运行功能(BGO)将新固件写入闪存后,可将选定数量的闪存块(每块32KB)进行交换,成为新固件的一部分。



制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 52 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: BSZ120P03

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 22 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 23 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

零件号别名: BSZ120P03NS3E G SP000709730 BSZ12P3NS3EGXT

单位重量: 38.420 mg


电源电路应用示例应用

PFC电路的输出二极管

续流二极管

防止反向连接

钳位电路

其他通用电路


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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