新产品通过改进材料并采用ROHM自有的结构，提高了散热性能，并大大抑制了表面温度的升高。

例如，当在7W条件下使用5mΩ产品时，普通产品的表面温升达到154.3℃，而新产品的表面温升仅为117.8℃，减少23％。

ROHM新开发出大功率、低阻值的分流电阻器“GMR320”。

由于其出色的散热性能，不仅实现了10W级产品中超小的7.1mm×4.2mm尺寸，而且在过电流负载时电阻值也不会发生变化，可以保持稳定的性能。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TISON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    2 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    3.8 mOhms, 2.1 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.2 V    

Qg-栅极电荷:    10 nC, 18.4 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

晶体管类型:   2 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   32 S, 43 S  

下降时间:   3 ns, 2.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   3.8 ns, 3.6 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   17 ns, 19 ns  

典型接通延迟时间:   4.7 ns, 4.1 ns  

零件号别名:  SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1  

单位重量:  96.560 mg

MasterGaN4原型开发板(EVALMASTERGAN4)。这块评估板提供使用单一或互补信号驱动MasterGaN4的全部功能，以及一个可调的死区时间发生器。

用户可以灵活地施加一个单独输入信号或PWM信号，插入一个外部自举二极管，隔离逻辑器件和栅极驱动器电源轨，以及使用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。

MasterGaN4现已投产，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）