X-波段产品组合提供支持多级增益的解决方案，从而减少发射链路中所需要的器件数量。

它们包括了不同的功率等级以优化系统性能，并提供多种平台以优化系统架构。浏览表1，了解更多产品细节和性能数据。

四款新型多极碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）器件.

进一步扩展射频（RF）解决方案范围，适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TISON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    2 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    25 V    

Id-连续漏极电流:    50 A, 50 A    

Rds On-漏源导通电阻:    2.4 mOhms, 3.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 16 V, + 16 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.6 V    

Qg-栅极电荷:    5.6 nC, 20 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W, 6.25 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.15 mm  

长度:   6 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   2 N-Channel  

宽度:   5 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   46 S, 90 S  

下降时间:   1.4 ns, 2.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   4.7 ns, 4.3 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   4.3 ns, 8.8 ns  

典型接通延迟时间:   4.3 ns, 5.6 ns  

零件号别名:  SP001075902 BSG0811NDATMA1  

单位重量:  230 mg  

在测试应用中，EtherCAT系统可节省高达10%的总体拥有成本（TCO），并提高30％的生产率。

B3292P/Q系列取得UL和EN认证，引线间距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三种，根据容值的大小，可选择不同的引线间距。

此外，电容的外壳和填充树脂满足UL94 V-0的阻燃等级要求。

2颗3K级图像传感器外，后续思特威还将有更多系列产品面世，包括近红外增强及星光级系列的产品，以更好地满足不同客户应用的多元化及差异化需求。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）