MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。

MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 16.2 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 110 S, 55 S

下降时间: 3.8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5.4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 3.9 ns

零件号别名: SP000854380 BSC92NSIXT BSC0902NSIATMA1

单位重量: 118.180 mg

在热设计较难的大功率应用中，也可以在实际产品设计之前通过仿真进行确认，有助于减少设计工时。

在ROHM的创始产品—电阻器领域，公司将继续扩展从低功率到高功率且有助于节能和小型化的电阻器产品阵容，并注重提供各种工具等技术支持，为汽车和工业设备的发展贡献力量。

ROHM包括新产品在内的分流电阻器热仿真模型。

PSR系列作为大功率分流电阻器被广受好评，此次又大大提高了额定功率保证值。例如，以往额定功率保证值为5W的“PSR500系列”，由于保证值已提高到最高15W，因此将可以支持更广泛的应用。

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