184引脚模块比用TSOP封装的同样容量的模块要小60%
发布时间:2021/4/10 14:29:23 访问次数:1109
DDR DIMM存储器模块DDR333，目标应用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)计算机服务器和工作站。
采用36个256M位FBGA封装的存储器器芯片，184引脚模块比用TSOP封装的同样容量的模块，板面积要小60%。总容量为128M字节X72，分成两组，2.5V为工作电源，1.25V为信号电压。
此外，由于封装引起的寄生参数在数据引脚减小50%，其负载电感为3.0nH,电容为0.32pF,电阻为0.12欧姆。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V Id-连续漏极电流:4.3 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:32.4 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:4.25 S 下降时间:30 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:25 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:18 ns 单位重量:2.040 g
LTM8020 是一个完整的 200mA、电流模式、开关 DC/DC 负载点稳压器系统，采用 6.25mm x 6.25mm x 2.3mm 焊盘网格阵列 (LGA) 表面贴装封装。
这种封装可以安装到电路板背面，从而在正面为数字集成电路腾出更多空间。
输入电压范围为 4V 至 36V，输出仅用一个电阻就可以在 1.25V 至 5V 范围内调节。密封封装保护电路组件免受机械、化学和环境因素影响，从而提高了设计可靠性。
LTM8020 的额定工作温度范围为 -40oC 至 85oC，符合 RoHS 要求。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
DDR DIMM存储器模块DDR333，目标应用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)计算机服务器和工作站。
采用36个256M位FBGA封装的存储器器芯片，184引脚模块比用TSOP封装的同样容量的模块，板面积要小60%。总容量为128M字节X72，分成两组，2.5V为工作电源，1.25V为信号电压。
此外，由于封装引起的寄生参数在数据引脚减小50%，其负载电感为3.0nH,电容为0.32pF,电阻为0.12欧姆。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V Id-连续漏极电流:4.3 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:32.4 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:4.25 S 下降时间:30 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:25 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:18 ns 单位重量:2.040 g
LTM8020 是一个完整的 200mA、电流模式、开关 DC/DC 负载点稳压器系统，采用 6.25mm x 6.25mm x 2.3mm 焊盘网格阵列 (LGA) 表面贴装封装。
这种封装可以安装到电路板背面，从而在正面为数字集成电路腾出更多空间。
输入电压范围为 4V 至 36V，输出仅用一个电阻就可以在 1.25V 至 5V 范围内调节。密封封装保护电路组件免受机械、化学和环境因素影响，从而提高了设计可靠性。
LTM8020 的额定工作温度范围为 -40oC 至 85oC，符合 RoHS 要求。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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