和IR公司以前的产品IRF7901D1相比，电流能力提高40%；和分立器件相比，节省60%的空间。

IRF7335D1输入是标准的12V，有5V，3.3V 和1.7V输出电压的同步充跳转换器能传输达11A的电流，用在笔记本电脑和台式计算机，游戏控制台和互联网设备。

共封装结构简化了版图设计，降低了封装和装配成本，增加功率密度，简化采购备料。

IRF7335D1中的两个MOSFET是单独优化其控制和同步开关功能的。同步的MOSFET有低的导通电阻，减少导通损耗。

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.2 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 36μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8-FL

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

60V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

27nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2000pF @ 30V

基本产品编号

BSZ042

Intel E750芯片组也适用于双处理器的服务器。

有两个512K字节的先进传输的高速缓冲存储器的Intel Xeon处理器，1K定货量时，2.8GHz的价格为$562,2.6GHz的价格为$443。

新的芯片组有更快的系统总线，今年晚些时候推出。这些新芯片组具有533MHz系统总线的特性，满足有双通道DDR 266存储器的功能更强大的服务器和工作站的要求，今年第四季度将会和新的Intel Xeon处理器一起提供。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）