前端或通用的互联网服务器，有一个或两个处理器，用于网络主机，数据缓存，搜索引擎，安全和主流媒体。这些成本效率的基于Intel的服务器使设备的体积等比例缩小，使公司和服务提供商能很快配置更多的服务器，以适应服务器工作量的增长。

在工作站中，双处理器系统在诸如创建数字化目录，机械和电设计，金融分析，3D造型的应用中是很流行的。技术或高性能的解决方案也能从改进的性能中得到好处。

一些制造商从这个星期开始，已对基于新处理器速度的工作站出货。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 26 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S

下降时间: 3.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 5.2 ns

零件号别名: BSZ5N3LSGXT SP000304139 BSZ050N03LSGATMA1

单位重量: 39.770 mg

控制MOSFET有低的栅极总电荷和栅-漏电荷，减少开关损耗，有30V的击穿电压，满足处理输入尖锋电压的要求。

内部的萧特基二极管有低正向压降，以满足快速和有效的开关。

新的双FEIKY Co-Pak的SO-14封装有客户定制的引线框，以改善热特性和多芯片能力。

此外，这种结构还最小化器件的包装以及同步FET和并联萧特基二极管之间的PCB寄生电感，简化了板的布图，增加了效率。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）