由于可在最低110°C的低温环境下去除残胶，且标准加工支持的温度范围广，该系统可用于半导体和高级硬盘应用领域的各种特种技术工艺。得益于业界领先的高产能（最高350wph）和低占地面积，该系统的生产率表现也非常优异。

射频滤波器的150-mm POI(压电衬底)经历了初期阶段的销量爬坡，因而销售量的小幅增长也推动了150/200-mm晶圆销售额的攀升。

300-mm RF-SOI晶圆的销售额维持在高位，并继续受到仍在增长的4G市场以及第一代5G智能手机的部署的支持。R&S®SAM100具有前所未有的高功率输出，超宽带宽和业内领先的超低噪声，可为客户提供优异的微波功率解决方案。

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI2302CDS-T1-GE3

描述

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）

驱动电压

创新技术的系统放大器R&S®SAM100，该微波放大器工作频率可覆盖2-20GHz，提供了高达20W的输出功率，它体积紧凑，设计稳固，并且操作便捷，树立了微波放大器的新标准。

R&S®SAM100面向移动无线电(UMTS、LTE、4G和5G)、物联网(WLAN、蓝牙)、卫星和雷达应用的微波无源和有源组件以及微波设备的制造商。系统放大器进行设计验证测试(DVT)的研发工程师的专业要求，系统放大器为产品验证测试(PVT)，以及用于射频产品的生产验证。R&S®SAM100还可以应用于EMC测试，满足需要测试高达18 GHz的EMC测试实验室工程师的需求。

R&S®SAM100采用了创新的方法，来应对系统放大器的挑战，它结合了高输出功率，超宽带宽和低噪声。R&S®SAM100采用非常紧凑的台式设计架构，利用外部电源供电，方便用户在各种场景中获得高的射频功率输出。