器件字线加速DDR4支持2.5V的电压Vpp
发布时间:2020/11/15 22:40:41 访问次数:4005
由于 5G 会让大量的应用在网络的边缘进行处理,移动边缘计算(Mobile Edge Computing, MEC)的需求得到爆发。
对于系统设计,考虑存储器如何被访问、如何被特定的PDN驱动以及如何设计散热方案。DDR4也支持2.5V的电压Vpp,其为器件提供字线加速以提升效率。
DDR4T04G72使卫星和航天器的制造商第一次可以使用大存储带宽技术,而类似的技术在商业领域已经使用了6年了。与市场上的经过认证的DDR3 SDRAM相比,DDR4T04G72可与最新的宇航级FPGA和微处理器配合使用,实现:
存储器带宽增加62%,传输速度加倍
存储容量增加25%
物理尺寸缩小76%
5G可以提供最高10Gbps的峰值速率、更佳的移动性能、毫秒级时延和超高密度连接。理论上,5G的速度可以达到4G的10倍以上。得益于如此高的网络速度,5G未来将在增强型移动宽带(eMBB)、超可靠低时延通信(uRLLC)和海量大规模连接(mMTC)等三大应用场景发挥重大作用。
移动边缘计算(MEC)最初于2013年在IBM和Nokia Siemens共同推出的一款计算平台上出现。之后,各大电信标准组织开始推动移动边缘计算的规范化工作。根据欧洲电信标准协会(ETSI)的定义,移动边缘计算侧重在移动网边缘提供IT服务环境和云计算能力,强调靠近移动用户以减少网络操作和服务交付的时延。

为了提高可靠性,器件采用了72比特的数据总线,包含64比特的数据和8比特的错误检测与纠正。这个ECC功能是通过第五个裸片实现的。器件使用内部的8n预读取缓冲,实现高速操作,提供可编程的读写操作和额外的延迟。DDR4的供电电压的典型值是1.2V。DDR4T04G72的物理尺寸和功耗与市面上的宇航级SDRAM的对比。功耗在很大程度上与下面几个因素相关:器件的架构、时钟频率、供电电压、执行的操作、器件的状态(如使能、预充电或读/写)、每个状态的持续时间、是否使用bank交织和I/O电路的实现(如终端电路)。
SDRAM在系统中的使用方式的不同,也会对功耗有很大的影响。
云计算、人工智能、物联网等应用快速落地,使得网络上的数据量呈指数倍递增,如何实现海量数据的交互、存储、分析,发挥数据真正的价值,是5G时代的新挑战,而5G也将推动云计算从集中化向分布式演进。

(素材来源:eepw.如涉版权请联系删除。特别感谢)
由于 5G 会让大量的应用在网络的边缘进行处理,移动边缘计算(Mobile Edge Computing, MEC)的需求得到爆发。
对于系统设计,考虑存储器如何被访问、如何被特定的PDN驱动以及如何设计散热方案。DDR4也支持2.5V的电压Vpp,其为器件提供字线加速以提升效率。
DDR4T04G72使卫星和航天器的制造商第一次可以使用大存储带宽技术,而类似的技术在商业领域已经使用了6年了。与市场上的经过认证的DDR3 SDRAM相比,DDR4T04G72可与最新的宇航级FPGA和微处理器配合使用,实现:
存储器带宽增加62%,传输速度加倍
存储容量增加25%
物理尺寸缩小76%
5G可以提供最高10Gbps的峰值速率、更佳的移动性能、毫秒级时延和超高密度连接。理论上,5G的速度可以达到4G的10倍以上。得益于如此高的网络速度,5G未来将在增强型移动宽带(eMBB)、超可靠低时延通信(uRLLC)和海量大规模连接(mMTC)等三大应用场景发挥重大作用。
移动边缘计算(MEC)最初于2013年在IBM和Nokia Siemens共同推出的一款计算平台上出现。之后,各大电信标准组织开始推动移动边缘计算的规范化工作。根据欧洲电信标准协会(ETSI)的定义,移动边缘计算侧重在移动网边缘提供IT服务环境和云计算能力,强调靠近移动用户以减少网络操作和服务交付的时延。

为了提高可靠性,器件采用了72比特的数据总线,包含64比特的数据和8比特的错误检测与纠正。这个ECC功能是通过第五个裸片实现的。器件使用内部的8n预读取缓冲,实现高速操作,提供可编程的读写操作和额外的延迟。DDR4的供电电压的典型值是1.2V。DDR4T04G72的物理尺寸和功耗与市面上的宇航级SDRAM的对比。功耗在很大程度上与下面几个因素相关:器件的架构、时钟频率、供电电压、执行的操作、器件的状态(如使能、预充电或读/写)、每个状态的持续时间、是否使用bank交织和I/O电路的实现(如终端电路)。
SDRAM在系统中的使用方式的不同,也会对功耗有很大的影响。
云计算、人工智能、物联网等应用快速落地,使得网络上的数据量呈指数倍递增,如何实现海量数据的交互、存储、分析,发挥数据真正的价值,是5G时代的新挑战,而5G也将推动云计算从集中化向分布式演进。

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