铁电随机存储器无延迟地储存传感器

发布时间:2020/11/17 23:25:04 访问次数:1146

全新FRAM（铁电随机存储器）解决方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首推器件。这两款器件可在高达摄氏125度的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计，且符合严苛的汽车行业AEC Q100标准规范。富士通电子希望通过该全新产品系列拓展其汽车市场的各种应用，并支持产品创新的研发项目。

车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。由于FRAM属于非失去性内存，不仅能进行高速随机存取，且拥有高耐写度的特性，因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。

特点:

可驱动一个双极步进电机；

PWM电流反馈控制；

运行在1、1/2、1/4的步阶模式；

MOSFETD的输出级使用低导通电阻；

高电压和大电流（请参阅规格书中的绝对最大额定值和操作范围）；

错误检测功能：上电复位（POR）、热关断（TSD）和过电流关断（ISD）；

内置VCC稳压调节器允许器件操作在一个单独的VM电源；

可定制的PWM斩波频率，依据使用的外部器件（电阻/冷凝器）；

封装：P-WQFN36-0606-0.50。

此系列中的所有装置皆具备包含 Schmitt 触发的标准 TTL/CMOS 逻辑输入，最低能以 3.3V 运作，因此很容易将驱动器连接至控制电路。其输出的设计可承受负瞬态，并包含适用于高侧与低侧驱动器的欠压锁定。

DGD2003S8 与 DGD2005S8 分别具有 290mA 与 600mA 的源极与汲极电流，DGD2012S8 则为 1.9A 与 2.3A，在其范围内皆可维持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 内部停滞时间，而 DGD2005S8 在高侧与低侧之间切换时，最大传播时间为 30ns。

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封装，并可在 -40℃至+125℃ 的宽广温度范围中运作。