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自由层磁矩反转磁场存储单元的尺寸减小

发布时间:2020/11/10 23:13:32 访问次数:1573

WRC-19为利用地面和空间通信技术连接世界的新的、更具创新性的方式铺平了道路。随着领先宽带技术在新工业发展中得到体现,最偏远地区的人们也将获得更好、更实惠的接入。

在WRC-19上达成的来之不易的协议将对全世界数十亿人的生活产生积极影响,为可持续增长和发展创造有利的数字环境。WRC-19在支持新通信技术和保护现有业务方面取得的成就将反映在万亿美元电信和ICT行业的持续增长之中。

尺寸更小、成本更低的系统解决方案,SmartBond TINY既可以作为一个独立的芯片系统来使用,也可以作为模块嵌入到更大的微控制器单元中。DA14531现在已经批量供货,SmartBond TINY模块也将在明年第二季度推出,它结合了主芯片的各项功能,能够将成本蓝牙连接的成本降低至1美元以下。SmartBond TINY模块面向用量不大的客户,有助于他们在产品开发中更容易地应用这一新的SoC,无需再去验证其平台,从而节省了产品开发的时间、工作量和成本。

它的具体优势主要体现在:

通过高散热结构,大幅改善PCB板的散热性,并保证额定功率4W

可靠性对于电阻器来说重要的一点就是散热设计,因为随着PCB上功能进一步集成化,元器件的散热环境越来越恶化。GMR50电阻器是在GMR100的基础上进行开发的,贴装面积减小39%,小型化之后需要解决散热的问题,罗姆工程师对GMR50电阻器内部的结构分布做了很好的调整,通过改进了电极结构以及优化元件内部设计,大幅提到散热性;对电极某一部分材料做一些变更,从而在施加比较大应力的时候使电极的粘合性更好,所以能够保证一个小尺寸的情况下也能达到额定功率4W。

罗姆所支持的散热设计不仅是针对单颗的电阻器,是可以针对整个PCB板进行整体的热仿真,来提供一些相应的散热对策。以FlothermTM专门的热仿真软件做的一个GMR50电阻和罗姆以往产品的温升对比。在同样施加2W的功率前提下,表面温升降低了57%;在贴装面积减小39%的尺寸下施加功率达到4W的时候它的表面温度比普通产品还要再低20度,它的可靠性得到进一步提升。

STT-MRAM存储单元的核心是一个MTJ,也就是STT-MRAM是通过MTJ来存储数据。通常情况下,MTJ是由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是是通过自旋电流实现信息写入的。写入信息时需要较大的电流产生磁场使?MTJ?自由层磁矩发生反转。随着存储单元的尺寸减小,需要更大的自由层磁矩反转磁场,因此也需要更大的电流。大电流不仅增加了功耗,也使得变换速度减慢,限制了存储单元写入信息的速度。

STT-MRAM的发展脚步毫无减缓的迹象,并瞄准两大应用领域,分别是嵌入式存储器和独立存储器。目前有些厂商专注于发展嵌入式MRAM。举个例子来说明其重要性,通常微控制器(MCU)会在同一芯片上整合多种元件,例如运算单元、SRAM和嵌入式快闪存储器。而这种嵌入式快闪存储器具备NOR的非挥发特性,这种NOR快闪存储器通常都用来作为程式代码的储存用途。


(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



WRC-19为利用地面和空间通信技术连接世界的新的、更具创新性的方式铺平了道路。随着领先宽带技术在新工业发展中得到体现,最偏远地区的人们也将获得更好、更实惠的接入。

在WRC-19上达成的来之不易的协议将对全世界数十亿人的生活产生积极影响,为可持续增长和发展创造有利的数字环境。WRC-19在支持新通信技术和保护现有业务方面取得的成就将反映在万亿美元电信和ICT行业的持续增长之中。

尺寸更小、成本更低的系统解决方案,SmartBond TINY既可以作为一个独立的芯片系统来使用,也可以作为模块嵌入到更大的微控制器单元中。DA14531现在已经批量供货,SmartBond TINY模块也将在明年第二季度推出,它结合了主芯片的各项功能,能够将成本蓝牙连接的成本降低至1美元以下。SmartBond TINY模块面向用量不大的客户,有助于他们在产品开发中更容易地应用这一新的SoC,无需再去验证其平台,从而节省了产品开发的时间、工作量和成本。

它的具体优势主要体现在:

通过高散热结构,大幅改善PCB板的散热性,并保证额定功率4W

可靠性对于电阻器来说重要的一点就是散热设计,因为随着PCB上功能进一步集成化,元器件的散热环境越来越恶化。GMR50电阻器是在GMR100的基础上进行开发的,贴装面积减小39%,小型化之后需要解决散热的问题,罗姆工程师对GMR50电阻器内部的结构分布做了很好的调整,通过改进了电极结构以及优化元件内部设计,大幅提到散热性;对电极某一部分材料做一些变更,从而在施加比较大应力的时候使电极的粘合性更好,所以能够保证一个小尺寸的情况下也能达到额定功率4W。

罗姆所支持的散热设计不仅是针对单颗的电阻器,是可以针对整个PCB板进行整体的热仿真,来提供一些相应的散热对策。以FlothermTM专门的热仿真软件做的一个GMR50电阻和罗姆以往产品的温升对比。在同样施加2W的功率前提下,表面温升降低了57%;在贴装面积减小39%的尺寸下施加功率达到4W的时候它的表面温度比普通产品还要再低20度,它的可靠性得到进一步提升。

STT-MRAM存储单元的核心是一个MTJ,也就是STT-MRAM是通过MTJ来存储数据。通常情况下,MTJ是由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是是通过自旋电流实现信息写入的。写入信息时需要较大的电流产生磁场使?MTJ?自由层磁矩发生反转。随着存储单元的尺寸减小,需要更大的自由层磁矩反转磁场,因此也需要更大的电流。大电流不仅增加了功耗,也使得变换速度减慢,限制了存储单元写入信息的速度。

STT-MRAM的发展脚步毫无减缓的迹象,并瞄准两大应用领域,分别是嵌入式存储器和独立存储器。目前有些厂商专注于发展嵌入式MRAM。举个例子来说明其重要性,通常微控制器(MCU)会在同一芯片上整合多种元件,例如运算单元、SRAM和嵌入式快闪存储器。而这种嵌入式快闪存储器具备NOR的非挥发特性,这种NOR快闪存储器通常都用来作为程式代码的储存用途。


(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



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