200V运作的功率转换全新MachXO3D的主要特性
发布时间:2020/11/17 23:21:28 访问次数:1085
受损的固件其潜在危害尤其严重,因为这不仅会让用户数据易受到入侵,而且会对系统造成永久性损坏,极大降低了用户体验,OEM也要承担相应的责任。FPGA则提供了一个保护系统固件的可靠硬件平台,因为它们能够并行执行多个功能,从而可以在检测到未经授权的固件时,更快地识别和响应。
当使用MachXO3 FPGA实现系统控制功能时,它们通常是电路板上“最先上电/最后断电”的器件。通过集成安全和系统控制功能,MachXO3D成为系统保护信任链上的首个环节。
莱迪思MachXO3D改进了生产过程中的器件配置和编程步骤。这些优化搭配MachXO3D的安全特性,保障了MachXO3D和合法固件之间的安全通信,从而较好地保护了系统。这种保护从系统制造、运输、安装、运行到报废的整个生命周期中都有效。根据Symantec的统计,在供应链阶段实施的攻击行为增长了78%。
系统开发商通常会在系统部署后,利用FPGA的灵活性来增强系统功能。我们在保持MachXO3D灵活性的基础上,增加了一个安全配置模块,由此推出了业界首个符合美国国家标准与技术研究所(NIST)平台固件保护恢复(PFR)标准、面向控制的FPGA。
全新MachXO3D的主要特性包括:
该控制FPGA提供4K和9K查找表、用于实现上电时从器件闪存即时配置的逻辑
用于单个2.5/3.3 V电源的片上稳压器
支持最大2700 Kbit的用户闪存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式块RAM,让设计选择更加灵活
高达383个I/O,可配置为支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有热插拔、默认下拉、输入迟滞和可编程压摆率等功能的各类系统环境中
嵌入式安全模块,为ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供预验证硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可确保只安装可靠来源的FPGA配置
双片上配置存储器,可在发生故障时对组件固件进行重新编程
高电压、高速闸极驱动器,适用于转换器、变频器、马达控制,以及 D 类功率放大器等应用。上述装置适用于最高 100V 的马达驱动应用,同时可支持以 200V 运作的功率转换及反转应用。这些功能使其非常适用于各种消费性与工业设计,包括电动工具、机器人与无人机,以及小型电动车。
DGD2003S8、DGD2005S8及DGD2012S8为涵盖半桥与高侧/低侧拓扑的 200V 闸极驱动器,并采用标准低矮型 SO-8 封装。这些装置具有接面隔离位准偏移技术,可建立浮动信道高侧驱动器,用于以最高 200V 运作的自举式拓扑,并可驱动使用半桥组态的两个 N 通道 MOSFET。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
受损的固件其潜在危害尤其严重,因为这不仅会让用户数据易受到入侵,而且会对系统造成永久性损坏,极大降低了用户体验,OEM也要承担相应的责任。FPGA则提供了一个保护系统固件的可靠硬件平台,因为它们能够并行执行多个功能,从而可以在检测到未经授权的固件时,更快地识别和响应。
当使用MachXO3 FPGA实现系统控制功能时,它们通常是电路板上“最先上电/最后断电”的器件。通过集成安全和系统控制功能,MachXO3D成为系统保护信任链上的首个环节。
莱迪思MachXO3D改进了生产过程中的器件配置和编程步骤。这些优化搭配MachXO3D的安全特性,保障了MachXO3D和合法固件之间的安全通信,从而较好地保护了系统。这种保护从系统制造、运输、安装、运行到报废的整个生命周期中都有效。根据Symantec的统计,在供应链阶段实施的攻击行为增长了78%。
系统开发商通常会在系统部署后,利用FPGA的灵活性来增强系统功能。我们在保持MachXO3D灵活性的基础上,增加了一个安全配置模块,由此推出了业界首个符合美国国家标准与技术研究所(NIST)平台固件保护恢复(PFR)标准、面向控制的FPGA。
全新MachXO3D的主要特性包括:
该控制FPGA提供4K和9K查找表、用于实现上电时从器件闪存即时配置的逻辑
用于单个2.5/3.3 V电源的片上稳压器
支持最大2700 Kbit的用户闪存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式块RAM,让设计选择更加灵活
高达383个I/O,可配置为支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有热插拔、默认下拉、输入迟滞和可编程压摆率等功能的各类系统环境中
嵌入式安全模块,为ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供预验证硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可确保只安装可靠来源的FPGA配置
双片上配置存储器,可在发生故障时对组件固件进行重新编程
高电压、高速闸极驱动器,适用于转换器、变频器、马达控制,以及 D 类功率放大器等应用。上述装置适用于最高 100V 的马达驱动应用,同时可支持以 200V 运作的功率转换及反转应用。这些功能使其非常适用于各种消费性与工业设计,包括电动工具、机器人与无人机,以及小型电动车。
DGD2003S8、DGD2005S8及DGD2012S8为涵盖半桥与高侧/低侧拓扑的 200V 闸极驱动器,并采用标准低矮型 SO-8 封装。这些装置具有接面隔离位准偏移技术,可建立浮动信道高侧驱动器,用于以最高 200V 运作的自举式拓扑,并可驱动使用半桥组态的两个 N 通道 MOSFET。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)