平稳和静音工作的高精度驱动器
发布时间:2020/9/19 20:57:57 访问次数:1289
Icicle 工具包以拥有 25 万个逻辑元件的 PolarFire SoC 为中心,包括 PCIe®连接器、mikroBUS™插槽、双 RJ45 连接器、Micro-USB 连接器、CAN 总线连接器、Raspberry Pi®插针连接器、JTAG 端口和 SD 卡接口,为开发人员提供了功能齐全的开发平台。Microchip 经过全方位设计、验证和测试的功耗管理和时钟器件、以太网 PHY(VSC8662XIC)、USB 控制器(USB3340-EZK-TR)和电流传感器(PAC1934T-I/JQ)为开发板提供支持。
PolarFire SoC FPGA 的总功耗比同类竞争产品低 50%。通过使用 SoC FPGA,开发人员还可以通过器件固有的升级能力和在单个芯片上集成功能的能力,获得更多的定制和差异化机会。PolarFire SoC FPGA 系列提供多种封装和尺寸,更好地平衡应用的性能与功耗,使客户能够在小至 11 × 11 毫米的封装尺寸上实施解决方案。Microchip 的 PolarFire SoC FPGA Icicle 工具包非常适合智能嵌入式成像、物联网、工业自动化、国防、汽车和通信应用。

独立模块TMCM-1278和PANdrive智能电机解决方案PD60-4H-1278和PD86-3-1278将通过Trinamic的分销渠道。
特点和优点:
电源电压:12-48V DC
电机每相电流:9A RMS
带有TMCL或CANopen协议的CAN总线接口
集成的SixPoint™斜坡发生器
Trinamic的独特功能集,包括StealthChop,SpreadCycle,Coolstep和StallGuard
TRINAMIC Motion Control为运动和电机控制应用开发了世界上最先进的技术。我们先进的集成电路,模块和机电一体化系统使当今的软件工程师能够快速,可靠地开发高效,平稳和静音工作的高精度驱动器。

与市面上其它硅基以及碳化硅解决方案相比,650 V CoolSiC MOSFET能够带来更加吸引人的优势:更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻(RDS(on)),这些器件具备出色的热性能。它们还采用了坚固耐用的体二极管,有非常低的反向恢复电荷:比最佳的超结CoolMOS MOSFET低80%左右。其换向坚固性,更是轻松实现了98%的整体系统效率,如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正(PFC)。
650 V CoolSiC MOSFET系列共8个版本,采用两种插件TO-247封装。
Icicle 工具包以拥有 25 万个逻辑元件的 PolarFire SoC 为中心,包括 PCIe®连接器、mikroBUS™插槽、双 RJ45 连接器、Micro-USB 连接器、CAN 总线连接器、Raspberry Pi®插针连接器、JTAG 端口和 SD 卡接口,为开发人员提供了功能齐全的开发平台。Microchip 经过全方位设计、验证和测试的功耗管理和时钟器件、以太网 PHY(VSC8662XIC)、USB 控制器(USB3340-EZK-TR)和电流传感器(PAC1934T-I/JQ)为开发板提供支持。
PolarFire SoC FPGA 的总功耗比同类竞争产品低 50%。通过使用 SoC FPGA,开发人员还可以通过器件固有的升级能力和在单个芯片上集成功能的能力,获得更多的定制和差异化机会。PolarFire SoC FPGA 系列提供多种封装和尺寸,更好地平衡应用的性能与功耗,使客户能够在小至 11 × 11 毫米的封装尺寸上实施解决方案。Microchip 的 PolarFire SoC FPGA Icicle 工具包非常适合智能嵌入式成像、物联网、工业自动化、国防、汽车和通信应用。

独立模块TMCM-1278和PANdrive智能电机解决方案PD60-4H-1278和PD86-3-1278将通过Trinamic的分销渠道。
特点和优点:
电源电压:12-48V DC
电机每相电流:9A RMS
带有TMCL或CANopen协议的CAN总线接口
集成的SixPoint™斜坡发生器
Trinamic的独特功能集,包括StealthChop,SpreadCycle,Coolstep和StallGuard
TRINAMIC Motion Control为运动和电机控制应用开发了世界上最先进的技术。我们先进的集成电路,模块和机电一体化系统使当今的软件工程师能够快速,可靠地开发高效,平稳和静音工作的高精度驱动器。

与市面上其它硅基以及碳化硅解决方案相比,650 V CoolSiC MOSFET能够带来更加吸引人的优势:更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻(RDS(on)),这些器件具备出色的热性能。它们还采用了坚固耐用的体二极管,有非常低的反向恢复电荷:比最佳的超结CoolMOS MOSFET低80%左右。其换向坚固性,更是轻松实现了98%的整体系统效率,如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正(PFC)。
650 V CoolSiC MOSFET系列共8个版本,采用两种插件TO-247封装。