电机控制和驱动功率密度和可靠性

发布时间:2020/9/19 20:58:22 访问次数:4353

RISC-V 技术并利用多样化 RISC-V 生态系统。为满足这一需求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出业界首款基于 RISC-V 的SoC FPGA开发工具包。这款名为Icicle 的开发工具包专为业界领先的低功耗、低成本、基于 RISC-V 的PolarFire® SoC FPGA打造，汇集了众多的Mi-V 合作伙伴，助力加速不同行业的客户设计部署和商业应用。

设计人员现在可以开始开发和评估实时操作系统（RTOS）、调试器、编译器、模块化系统（SOM）和安全解决方案等广泛的 RISC-V 生态系统产品，从而轻松部署基于 RISC-V 的可编程 SOC FPGA。Mi-V RISC-V 合作伙伴生态系统是 Microchip 和众多第三方为全面支持 RISC-V 设计而开发的一个不断扩展、全面的工具套件和设计资源。

数据列表

LTC4215/-2;

标准包装

100

包装

管件

零件状态

有源

类别

集成电路（IC）

产品族

PMIC - 热插拔控制器

类型热交换控制器，监控器

通道数 1

内部开关无

应用通用

特性 I2C，OVP，UVLO

可编程特性自动重试，限流，故障超时，闭锁故障

电压 - 供电 2.9V ~ 15V

电流 - 输出（最大值） -

工作温度 0°C ~ 70°C

电流 - 供电 3mA

安装类型表面贴装型

封装/外壳 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 16-SSOP

碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

650 V CoolSiC MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。它们还具备最高的跨导水平（增益）、4V的阈值电压（Vth）和短路稳健性。总而言之，沟槽技术可以在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低的损耗，并在运行中实现最佳可靠性。