与Si传统器件不同，耗尽型GaN FET由于氮化物极强的极化效应，AlGaN/GaN异质结可以通过自发极化和压电极化效应在其界面形成很高浓度2DEG导电沟道，在零栅压下，器件处于导通状态。因此往往需要负压关断。耗尽型GaN FET不同于Si MOSFET的是，由于其栅极下方不存在与S极连接的P型寄生双极性区，因此没有寄生体二极管，故而器件开关损耗小、具有对称的传导特性。因此GaN FET可由正栅源电压VGS或正栅漏电压VGD驱动。

耗尽型GaN FET，要关断器件，必须加负栅压。这意味着电路中一旦有耗尽型GaN FET，就会增加栅极驱动设计的复杂性，而且易发生误导通，有直通的潜在威胁，使电路稳定性和安全性降低。增强型GaN FET则相反，只有加正偏压才会导通，减小了电路复杂性，稳定性和安全性也较好。目前，增强型GaN FET主要是在耗尽型高电子迁移率晶体管(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor，GaN HEMT)结构的基础上改进而成。增强型GaN FET结构方案包括：P型栅、凹槽栅、Cascode结构等。

TMC5160针对单个步进电机的小型化设计

TMC5160针对单个步进电机的小型化设计

TMC5160 ABN编码器接口和两个参考开关输入用于确保电机正确运动，编码器有位置偏差时，可自动发出中断。

TMC5160驱动多个步进电机的紧凑型设计

TMC5160驱动多个步进电机的紧凑型设计

驱动两个步进电机的应用。每个电机带一个ABN编码器接口和两个参考开关。如果运动电机不需要实时任务，可用一个CPU控制整个系统。CPU板和控制器/驱动器板之间的连接经济且节省空间。

TMC5160运动控制和驱动芯片是CPU和大功率步进电机之间的智能功率接口器件。所有步进电机逻辑完全在TMC5160内，不需要软件来控制电机——只需提供目标位置。TMC5160提供了许多独特的增强功能，这些功能通过集成的控制驱动器得以实现。TMC5160的六点斜坡发生器自动使用stealthChop、dcStep、coolStep和stallGuard2，来优化每个电机的运动。TMC5160将TMC2100、TMC2130 和 TMC5130 系列扩展 到更高的电压和更高的电机电流。

TMC5160提供三种基本操作模式,全功能运动控制和驱动器.

音频模数转换器（ADC），能够在比行业同类产品远4倍的距离以外采集到清晰的语音。TLV320ADC5140是业界具备同等性能的体积更小的四通道音频ADC，是TI新推出的三款Burr-Brown音频ADC系列产品之一，可以在嘈杂的环境中实现低失真录音，还可以在任何环境中进行远场高保真录音。

智能家居系统面临着远场音频采集的挑战。由于麦克风数量有限且信号处理能力受限，现有的智能家居系统难以在嘈杂的环境中采集和理解语音命令。而TLV320ADC5140可以帮助工程师应对这一挑战，它能够改善跨房间的音频采集，并增强对高端智能音箱、条形音箱、无线音箱、高清电视、IP网络摄像机、电话会议系统和智能家电等应用中的难以捕捉的声音命令的识别。这款ADC扩大了TI Burr-Brown优质音频设备产品组合阵容（包括高性能D类放大器，数据转换器和运算放大器），还可以通过减少阵列中的麦克风数量来帮助工程师节省系统设计成本。

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