P型栅结构的GaN FET，与耗尽型不同的是，P型栅结构是在AlGaN势垒层上生长了一个带正电的P型GaN栅极，如图2中的P-GaN层。P型GaN层可以拉升AlGaN势垒层的能带，起到耗尽2DEG的作用，以实现常断特性。当施加足够的正VGS时，使栅源电压大于阈值电压，P-GaN层的内电场被削弱，2DEG浓度上升，形成导通沟道，GaN FET器件导通。随着VGS的降低且小于阈值电压，沟道又逐渐关闭，GaNFET器件关断。这种结构主要是通过控制P型栅极势垒的电位，升降AlGaN势垒层的能带，使2DEG的浓度改变来实现对GaNFET器件的通断控制。

在P型栅结构的基础上，采用在P-GaN层上沉积TiN金属，形成三层掩膜的栅极结构，从而实现肖特基接触，。这种结构存在栅极场板，可增加高压应用场板设计的灵活性。实验证明，这种结构具有低栅极电阻、降低高漏源电压VDS时的导通电阻RDS-ON等优势，且相比采用欧姆接触的P-GaN结构，此结构降低了栅极漏电流。

增强型GaN FET的低栅源电压VGS、低阈值电压VTH以及寄生参数等影响,使得传统的Si驱动电路不再适用于GaN，GaNFET的驱动要求更为严格，其驱动电路至少具备以下三个功能：

驱动信号可靠性。驱动信号的可靠性对于驱动电路来说是很重要的，驱动信号一旦不稳定极有可能损坏GaN器件。一定要保证驱动信号可靠传输。一般在通信系统中或使用频率在兆赫兹等级以上时，常用微波驱动，技术来传输驱动信号。

抗扰性能。GaN FET的低阈值电压使其对di/dt、dv/dt和寄生电感极其敏感，若驱动的抗扰性不好，开关频率的增加不仅使器件损耗增多，严重时还会损坏器件。因此，驱动需要较好的抗扰性。一般采取减小共源电感、增加驱动电阻等方法提高驱动抗扰性。

漏源回路寄生电感小。GaN FET栅极信号的噪声和振荡很强，一旦回路寄生电感过大会导致关断时出现过电压和寄生振荡，导致额外的损耗。因此可优化驱动回路，减小寄生电感。

如果步进电动机绕组的每一次通断电操作称为一拍，每拍中只有一相绕组通电，其余断电，这种通电方式称为单相通电方式。

步进电机的通电方式,三相单三拍其通电顺序为A—B—C—A。“三相”是指三相步进电机，“单”是指每次只有一盯绕组通电，“三拍”是指三种通电状态为一具循环。

这种方式每次只有一相通电，容易使转子在平衡位置上发生振荡，稳定性不好。而且在转换时，由于一相断电时，另一相刚开始通电，易失步（指不能严格地对应一个脉冲转一步），因而不常采用这种通电方式。

双相双三拍其通电顺序为AB—BC—CA—CB

这种通电方式由于两相同时通电，转子受到的感应力矩大，静态误差小，定位精度高，而且转换时始终有一相通电，可以工作稳定，不易失步。

三相六拍其通电顺序为A—AB—B—BC—C—CA—A

这是单、双相轮流通电的方式，它具有双一拍的特点，且由于通电状态数增加一倍，而使步距角减少一倍。

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