MOC3010SR2M按下测试钮。

测试仪正面的指示(成功或失败)灯会立即亮起。

系统失效的情况有:接地的导电率不足;腕带或接地线内置的安全电阻损坏。

用万用表进行测试:

将万用表调至Ω挡位。

调整万用表的Ω挡位至合适的电阻范围。

将手腕带的插座终端与万用表的黑表笔相连。

用万用表的红表笔接触手腕带的金属片一端。

测得的电阻范围是250kΩ~1.5MΩ。

套上手腕带。

用食指和拇指捏住万用表的红表笔。

测得的电阻不大于10MΩ。

防静电手表 需要其他防静电措施的补救才能取得较好的防静电效果。

防静电脚带/防静电鞋(见图5-10) 厂房使用防静电地面后,应佩戴防静电鞋带或穿防静电鞋,建议车间以穿防静电鞋为主,可降低灰尘的引人。

防静电台垫 各台垫申上1MΩ电阻后与防静电地板可靠连接。

防静电地板。

屏蔽类防静电包装运输及储存材料

防静电周转箱、防静电元件盒,如图5-11所示。防静电鞋,防静电周转箱、防静电元件盒.

防静电屏蔽袋,如图5-12所示。

防静电胶带,如图5-13所示。

防静电屏蔽袋,防静电胶带.

BJT是电流控制电流器件,有两种载流子参与导电,属于双极型器件;而FET是电压控制电流器件,只依靠一种载流子导电,因而属于单极型器件。虽然这两种器件的控制原理有所不同,但通过类比可发现,组成电路的形式极为相似,分析的方法仍然是图解法(亦可用公式计算)和小信号模型分析法。

己在FET放大电路中,yDs的极性决定于沟道性质,N(沟道)为正,P(沟道)为负;为了建立合适的偏置电压ycs,不同类型的FET,对偏置电压的极性有不同要求:增强型MOSFET的ycs与%s同极性,耗尽型MOSFET的ycs可正、可负或为零,JFET的7Gs与yDs极性相反。

按三端有源器件三个电极的不同连接方式,两种器件(BJT,JFET、MESFET和MOSFET)可以组成六种组态。但依据输出量与输入量之间的大小与相位关系的特征,这六种组态又可归纳为三种组态,即反相电压放大器、电压跟随器和电流跟随器。这为放大电路的综合设计提供了有实用意义的思路。

由于FET具有输入阻抗高、噪声低(如JFET)等一系列优点,而BJT高,若FET和BJT结合使用,就可大为提高和改善电子电路的某些性能指标。BiFET模拟集成电路是按这一特点发展起来的,从而扩展了FET的应用范围。

由于GaAs的电子迁移率比硅大约5~10倍,高速CaAs MESFET正被用于高频放大和高速数字逻辑电路中,其互导gm可达100 ms,甚至更高。

MOS器件主要用于制成集成电路。由于微电子工艺水平的不断提高,在大规模和超大规模模拟和数字集成电路中应用极为广泛,同时在集成运算放大器和其他模拟集成电路中也得到了迅速的发展,其中BiCMOS集成电路更具有特色,因此,MOs器件的广泛应用必须引起读者的高度重视。

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