M2112TFW01-RO防静电IC料条及IC托盘,如图5-14所示。

防静电货架、手推车及工作台。

防静电工作服,如图5-15所示。

防静电IC料条及IC托盘,防静电工作服,中和类设备

中和类设备主要有离子风机和离子风枪。离子器把空气分子转化为正、负离子,正离子被吸向负电荷从而消散静电。

防静电工作台(见图5-16),1MΩ接地腕什,静电防护容器或料,导电桌垫,导电地垫,地桌垫/地垫结构,防静电工作台地板.

修理、测试ESDS部件时,必须在静电调控工作台进行。一个完整的静电安全工作台应装配有:已接地的导电桌、腕带将导电体放电以及选配性的离子吹风机和导电地垫。

桌垫:预防静电产生,同时又去除垫上导电体的静电,桌垫必须正确接地。地线与桌垫之间的阻值应为1MΩ,建议用于航电车间、收货和储存部。桌垫采用三层式耗散静电材料,三层式的设计包括具有高导电性的中间层,提供了快速的放电路线而无需跨过表面接地。表层是耐用的防电材料,会将垫上局部集结的静电导向中层。底层不导电,防止安全电阻被旁通,采用舒适的(发泡)垫子,具有防滑功能。

金属一氧化物一半导体(MOs)场效应管,MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如是增强型,说明它的开启电压/T=?如是耗尽型,说明它的夹断电压u=i(图中jD的假定正向为流进漏极)

一个M OSFET的转移特性如图题所示(其中漏极电流JD的假定正向是它的实际方向)。试问:该管是耗尽型还是增强型?

是N沟道还是P沟道FET?

从这个转移特性上可求出该FET具有夹断电压yP还是开启电压h?其值等于多少?

已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP=0.2n1/Ⅴ2,%=0.5V,jD=-0.5 mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压抄Gs和漏源电压矽Ds等于多少?

设N沟道增强型MOsFET的参数为%=1Ⅴ,W=100 um,L=5 um.