TDA8590晶体三极管一般简称为晶体管。它是一种具有两个PN结(发射结、集电结),三个电极(集电极c、基极b、发射极c)的半导体器件。根据PN结的组合方式不同,有PNP和NPN两种类型,其图形符号如图3-4所示。

晶体二极管的电流放大作用 把晶体三极管接在电路中,如图3-5所示。让发

射结处于正向偏置状态、集电结处于反向偏置状态,通过实验,可得到:

                         ie=ib+ic 且 ie≈ic

三极管基极输入的微小基极电流rb引起了集电极电流fc的较大变化,并且规定

                         Δic/Δib=卩            (电流放大系数)

可得到二极管中电流间的相互关系:

                        ic=卩ib、ie=ib+ic=(1+卩)ib

晶体三极管的输人、输出特性,输入特性 在晶体管的输入回路中,基极电流ib与基极和发射极之问的电压ubc的关系称为输人特性,如图3-6所示。由图中可看出:在晶体管的输入特性中也存在一个“死区”。在“死区”内rb极小,硅管死区电压约0.5V,锗管约0.2Ⅴ。

输出特性 在rb一定的情况下,rc与ycc之间的关系称晶体管的输出特性。同一只晶体管,在不同的Jh下,  图3-6 晶体三极管可以得到不同的曲线,使得晶体三极管的输出特性是一个曲线族,如图3-7所示。由图中可看出,在中间部分的J(大小主要取决于Jb,这个区域称为放大区。在这个区间内,f(随Fb成正比例增长,rb每增大一定值,特性曲线就向上移一次,fc的变化比rb的变化大得多,即

                 Δic=卩Δib

在Fb=0时,Jc≠0,此时的rc叫穿透电流。在Jb=0以下的区域称为截止区,在此区域内,晶体三极管无放大作用;曲线族左侧的阴影区称为饱和区,在此区域内,晶体管处于饱和导通状态(无放大作用)。

晶体三极管的主要参数

直流参数,共发射极直流放大倍数卩=ic/ib。

集电极一基极反向截止电流ice0=o时,基极和集电极间加规定反向电压时的集电极电流。

集电极一发射极反向截止电流rc相(穿透电流) rb=o时,集电极―发射极间加规定的反向电压时的集电极电流。

交流参数,共发射极交流放大倍数 卩=Δic/ΔFb。其中ΔFb是fb的变化量,Δfc是rc的变化量。

共基极交流放大倍数 α=Δfc/Δic≈1。

极限参数,集电极最大允许电流Fcm。

集电极―发射极击穿电压pcm基极开路时,加在集电极一发射极之间的最大允许电压。

集电极最大容许耗散功率Pcm集电极电流Jc会使管子温度上升,二极管因受热而引起的参数变化不超过允许值的功耗就是Pcm。三极管的实际耗散功率Pc=uuceic,使用时必须使Pc<Pcm。

晶体三极管的简易判断,管脚与管型的判断 用万用表R×100Ω或R×1 kΩ挡分别测量各管脚间电阻,必有一只管脚与其他两脚之间的阻值相近,这只管脚就是基极。以黑表笔(一)接基极,如果测得与其他两只管脚的电阻都小,则为NPN型三极管;反之则是PNP型三极管。找出基极后,分别测基极对另外两管脚的电阳,阻值较小的那个是集电极,另一个就是发射极。

三极管好坏的大致判断 用万用表测量集电极与发射极间的反向电阻值来估算穿透电流ice0的大小。

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