USBF21NSCC线路的电压损失的大小取决于导线电阻的大小,导线电阻大小与导体的材料、长度和截面积有关,即

                   R=p l/s

式中 R一导线电阻;

        p一导线材料系数也称电阻系数;

        L一导线长度;

        s一导线截面积。

因为配线线路过长,导线截面积过小,必然造成电压损失过大,这样会使用电电器功率不足,甚至发热烧毁,电灯发光效率也大大降低。所以相关标准对用电设各的受电电压做了如下规定:电动机的受电电压不应低于额定电压的95%;普通照明灯的受电电压不应低于额定电压的95%。室内配线的电压损失允许值要视电源引人处的电压值而定,应该确保受电电压规定值。

晶体管及简单应用,半导体与PN结.

半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的材料称半导体。纯净的半导体称本

征半导体c在纯净的半导体中加入某些五价元素,就形成主要由自由电子导电的电子型半导体(N型半导体);而加人某些三价元素,就形成主要由空穴导电的空穴型半导体(P型半导体)。

PN结 利用扩散法或合金法把P型半导体和N型半导体结合在一起,在交接面处会囚多数载流子浓度不同而进行扩散,形成一个“PN”结。PN结有一个内电场,由N区指向P区。当PN结处于正向偏置(P区电位高于N区电位)时,内电场被削弱,在PN结内形成较大的扩散电流(PN结正向导通);而当PN结处于反向偏置时,内电场被加强,漂移越过PN结的电流很小,此电流称为反向漏电流(PN结反向截止)。PN结加正向电压导通,加反向电压截止的现象,称为PN结的单向导电性。

晶体二极管,把PN结加上相应的封装和电极引出线,就成为晶体二极管。其图形符号如图3-1所示。

晶体二极管的伏安特性 二极管的电压、电流关系曲线一伏安特性曲线如图

3-2所示。由图中可以看出整个曲线大致可分成两个部分:正向特性部分和反向特性部分。在正向特性部分中,有一个二极管承受正向电压而未导通的部分,称为死区(硅二极管死区电压约0.5Ⅴ,锗二极管约0.2V)。导通后工极管两端的管压降(硅二极管约0.7Ⅴ,锗二极管约0.3Ⅴ)。在反向特性部分有一个二极管承受反向电压处于截止状态的反向截止区和反向击穿区。

晶体二极管的主要参数,最大正向电流 在规定的散热条件下二极管长期运行时允许通过的最大正向电流平均值。

反向击穿电压 指二极管所能承受的最高反向电压。超过此值二极管将被击穿。

最高反向工作电压 一般为反向击穿电压的1/2~2/3。

晶体二极管的简易判断,好坏的判断 用万用表R×100Ω或R×1 kΩ挡测量二极管的正反向电阻,如果正向电阻为几十欧至几百欧,反向电阻在200 kΩ以上,可以认为二极管是好的。万用表黑表笔接二极管正极、红表笔接负极时测得的为正向电阻,反之为反向电阻,如图3-3所示。

极性的判断 用万用表测出二极管的正向电阻(阻值较小)时,黑表笔所接的为二极管正极,红表笔为二极管负极。

半导体材料的判断 当测得二极管正向电阻时,指针指示在标度尺3/4左右,为锗二极管;指示在2/3左右,为硅二极管。

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