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100G/200G SerDes接口及共封装光学模块(CPO)

发布时间:2025/6/6 8:34:29 访问次数:68

100G/200G SerDes接口及共封装光学模块(CPO)

100G/200G SerDes接口与共封装光学模块(CPO)是高速互连技术的核心组成部分,主要面向数据中心、高性能计算(HPC)和5G网络等对带宽和能效要求苛刻的场景。

以下是关键技术点解析:

1. SerDes接口(100G/200G)

定义:

SerDes(Serializer/Deserializer)是一种将并行数据转换为高速串行信号的IP核,用于芯片间或板级高速通信。

关键技术:

调制技术:

NRZ:传统方式(如PAM4出现前用于100G以下)。

PAM4:200G/400G的主流调制(如200G SerDes采用56Gbaud PAM4)。

工艺节点:先进制程(如7nm/5nm)降低功耗,提升速率。

前向纠错(FEC):应对PAM4的高误码率,如RS-FEC。

信道补偿:CTLE/DFE/FFE等均衡技术补偿信道损耗。

挑战:

信号完整性(串扰、抖动)。

功耗随速率指数增长(200G SerDes功耗可能达~15pJ/bit)。

2. 共封装光学(CPO)

定义:

将光引擎与ASIC/交换机芯片封装在同一基板上,替代传统可插拔光模块(如QSFP-DD),缩短电通道距离。

优势:

能效:减少电-光转换损耗,功耗可降低30%-50%(如从~14W降至~7W per 100G)。

密度:支持更高端口密度(如51.2T交换机+CPO实现128x400G)。

延迟:缩短互连长度,降低纳秒级延迟。

关键技术:

光引擎集成:

硅光(SiPh):Intel、Broadcom等采用硅基调制器/探测器。

VCSEL/EML:短距多模(VCSEL)或长距单模(EML)光源选择。

封装工艺:

2.5D/3D封装:通过中介层(Interposer)连接光芯片与电芯片。

热管理:微流道冷却等应对光器件温敏问题。

标准化:

COBO、OIF等组织推动CPO规范(如3.2T光引擎模块定义)。

挑战:

可靠性:光器件与电芯片的协同老化测试。

成本:初期成本高于可插拔模块,需规模化降本。

维护:不可插拔设计增加故障替换复杂度。

3. SerDes与CPO的协同设计

接口匹配:CPO需支持SerDes的NRZ/PAM4信号,如112G PAM4 SerDes直接驱动光引擎。

信道优化:CPO的极短距离(<5cm)允许简化SerDes均衡(减少DFE抽头数)。

协议支持:IEEE 802.3df(800G/1.6T Ethernet)定义CPO与SerDes的协同标准。

4. 应用场景

数据中心:谷歌、Meta的下一代叶脊架构(如1.6T CPO交换机)。

AI集群:NVIDIA的NVLink over CPO实现GPU间低延迟互联。

电信:5G前传/中传的高带宽需求(如Open RAN中的CPO应用)。

5. 未来趋势

速率提升:向224G SerDes(支持800G/1.6T CPO)演进。

光电合封:从CPO迈向更紧密的光电共晶(EO Co-Die)。

新材料:氮化硅(SiN)波导降低光损耗,铌酸锂(LiNbO3)提升调制效率。

总结:100G/200G SerDes与CPO的结合是突破“功耗墙”和“带宽墙”的关键,需跨学科协同(半导体工艺、光电子、封装技术),预计2025年后进入大规模商用阶段。

100G/200G SerDes接口及共封装光学模块(CPO)

100G/200G SerDes接口与共封装光学模块(CPO)是高速互连技术的核心组成部分,主要面向数据中心、高性能计算(HPC)和5G网络等对带宽和能效要求苛刻的场景。

以下是关键技术点解析:

1. SerDes接口(100G/200G)

定义:

SerDes(Serializer/Deserializer)是一种将并行数据转换为高速串行信号的IP核,用于芯片间或板级高速通信。

关键技术:

调制技术:

NRZ:传统方式(如PAM4出现前用于100G以下)。

PAM4:200G/400G的主流调制(如200G SerDes采用56Gbaud PAM4)。

工艺节点:先进制程(如7nm/5nm)降低功耗,提升速率。

前向纠错(FEC):应对PAM4的高误码率,如RS-FEC。

信道补偿:CTLE/DFE/FFE等均衡技术补偿信道损耗。

挑战:

信号完整性(串扰、抖动)。

功耗随速率指数增长(200G SerDes功耗可能达~15pJ/bit)。

2. 共封装光学(CPO)

定义:

将光引擎与ASIC/交换机芯片封装在同一基板上,替代传统可插拔光模块(如QSFP-DD),缩短电通道距离。

优势:

能效:减少电-光转换损耗,功耗可降低30%-50%(如从~14W降至~7W per 100G)。

密度:支持更高端口密度(如51.2T交换机+CPO实现128x400G)。

延迟:缩短互连长度,降低纳秒级延迟。

关键技术:

光引擎集成:

硅光(SiPh):Intel、Broadcom等采用硅基调制器/探测器。

VCSEL/EML:短距多模(VCSEL)或长距单模(EML)光源选择。

封装工艺:

2.5D/3D封装:通过中介层(Interposer)连接光芯片与电芯片。

热管理:微流道冷却等应对光器件温敏问题。

标准化:

COBO、OIF等组织推动CPO规范(如3.2T光引擎模块定义)。

挑战:

可靠性:光器件与电芯片的协同老化测试。

成本:初期成本高于可插拔模块,需规模化降本。

维护:不可插拔设计增加故障替换复杂度。

3. SerDes与CPO的协同设计

接口匹配:CPO需支持SerDes的NRZ/PAM4信号,如112G PAM4 SerDes直接驱动光引擎。

信道优化:CPO的极短距离(<5cm)允许简化SerDes均衡(减少DFE抽头数)。

协议支持:IEEE 802.3df(800G/1.6T Ethernet)定义CPO与SerDes的协同标准。

4. 应用场景

数据中心:谷歌、Meta的下一代叶脊架构(如1.6T CPO交换机)。

AI集群:NVIDIA的NVLink over CPO实现GPU间低延迟互联。

电信:5G前传/中传的高带宽需求(如Open RAN中的CPO应用)。

5. 未来趋势

速率提升:向224G SerDes(支持800G/1.6T CPO)演进。

光电合封:从CPO迈向更紧密的光电共晶(EO Co-Die)。

新材料:氮化硅(SiN)波导降低光损耗,铌酸锂(LiNbO3)提升调制效率。

总结:100G/200G SerDes与CPO的结合是突破“功耗墙”和“带宽墙”的关键,需跨学科协同(半导体工艺、光电子、封装技术),预计2025年后进入大规模商用阶段。

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