LQW18AN7N5C00D于制造工艺和电路功能的不同,有些BJT的b值可能小于10,如横向PNP管,有些则可能高达数千,如超b管。

共基极交流电流放大系数α定义为

a=-Δic/ΔiE ucb=常数 (4.1,14)

同样,在输出特性曲线较平坦,各曲线间距相等的条件下,可认为α≈a。

极间反向电流，集电极一基极反向饱和电流icbo。

如前所述,icbo是集电结加上一定的反偏电压时,集电区和基区的平衡少子各自向对方漂移形成的反向电流。它实际上和单个PN结的反向电流是一样的,因此,它只决定于温度和少数载流子的浓度。在一定温度下,这个反向电流基本上是个常数,所以称为反向饱和电流。一般icbo的值很小,小功率硅管的icbo小于1uA,而小功率锗管的icbo约为10uA。因icbo是随温度增加而增加的,因此在温度变化范围大的工作环境应选用硅管.

测量icbo的电路如图4.1.13所示。

集电极一发射极反向饱和电流iceo。

iceo是基极开路时,由集电区穿过基区流向发射区的反向饱和电流。测量rcEo的电路如图4.1.14所示。如前所述,icEo=(1+b)icbo。

选用BJT时,一般希望极间反向饱和电流尽量小些,以减小温度对BJT性能的影响。小功率硅管的JcEo在几微安以下,小功率锗管的JcEo约在几十微安以上。

极限参数,集电极最大允许电流fcM,前已指出,当jc过大时,b值将下降。b值下降到一定值时的Jc即为fcM。当工作电流jc大于IcM时,BJT不一定会烧坏,但`值将过小,放大能力太差。

集电极最大允许耗散功率icM,BJT内的两个PN结上都会消耗功率,其大小分别等于流过结的电流与结上电压降的乘积。一般情况下,集电结上的电压降远大于发射结上的电压降,因此与发射结相比,集电结上耗散的功率Pc要大得多。这个功率将使集电结发热,结温上升,当结温超过最高工作温度(硅管为150℃,锗管为70℃)时,BJT性能下降,甚至会烧坏。为此,Pc(≈icucE)值将受到限制,不得超过最大允许耗散功率PcM值。

PcM的大小与允许的最高结温、环境温度及管子的散热方式有关。由给定的PcM值(对于确定型号的BJT,PcM是一个确定值),可以在BJT的输出特性曲线中画出允许的最大功率损耗线,如图4.1.15所示,线上各点均满足icucE=PcM的条件。

BJT的功率极限损耗线,反向击穿电压,当BJT内的两个PN结上承受的反向电压超过规定值时,也会发生击穿,其击穿原理和二极管类似,但BJT的反向击穿电压不仅与管子自身的特性有关,而且还取决于外部电路的接法。下面分别加以介绍:

v(bR)Ebo是指集电极开路时,发射极一基极间的反向击穿电压。在正常放大状态时,发射结是正偏的。而在某些场合,例如工作在大信号或者开关状态时,发射结上就有可能出现较大的反向电压,所以要考虑发射结反向击穿电压的大小。小功率管的v(bR)Ebo一般为几伏。

v(bR)cbo是指发射极开路时集电极一基极间的反向击穿电压,它决定于集电结的雪崩击穿电压,其数值较高,通常为几十伏,有些管子可达几百伏。

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在4.6节和5.5节分别介绍了用Verilog描述组合电路和触发器的方法,本节将在前几节的理论和实践基础上讨论时序电路的描述方法。

组合电路可以在逻辑门级通过调用内置的逻辑门元件进行描述,也可以使用数据流描述语句和行为级描述语句进行描述,而触发器通常使用行为级描述语句进行描述。由于时序逻辑电路通常由触发器和逻辑门构成,所以可以将数据流描述语句和行为级描述语句结合起来对它的逻辑功能(即行为)进行描述。下面通过几个例子进行介绍。

移位寄存器的Verilog建模,例6.6.1通过行为级描述语句always描述了一个4位双向移位寄存器,它有两个选择输入端、两个串行数据输人端、4个并行数据输入端和4个并行输出端,完成的功能与图6.5.7所示74HCT194类似。它有5种功能:异步置零、同步置数、左移、右移和保持原状态不变。当清零信号CR跳变到低电平时,寄存器的输出被异步置零;否则,当CR=1时,与时钟信号有关的4种功能由case语句中的两个选择输人信号s1、sO决定(在case后面S1、SO被拼接成2位矢量)。移位由串行输入和3个触发器的输出拼接起来进行描述.