SNJ54AHCT125FK获得信息各次比较结果。开锁密码位数的确定由比较器完成,当输人数码的位数为8位时,比较器输出M为1,否则为0。

确定控制单元的算法,画出ASM图根据上述分析得出控制单元的ASM图,如图10.2.16所示,其中s。为初始状态,S1为接受数码状态,s2为准备开锁状

态,s3状态表示每正确接受一次数码,计数器C加1,S4为开锁状态,s5为错误状

态。异步复位信号RESEr使得控制单元进入初始状态,在该状态时,控制单元发出CLR命令使计数器C清零。下一个时钟到来时,系统无条件地转到接收数码状态s1。在s1状态下若开锁信号TRy为1时,控制单元进人错误状态S5,TRy为0时,等待接收数码。READ为1时读取数码,若本次送的数码Brr与开锁密码相应位的数值不相等,比较器输出B为0,控制单元进入错误状态s5,若两者数值相等,比较器输出B为1,然后判断位数比较器输出M的结果,M为0时控制单元进入S3状态。在S3状态,控制单元输出CⅣr命令使计数器C加1,然后转换到接收数据状态sl,这样循环下去直到正确接收8次数码后,位数比较器胚输出为1,系统转人s2状态。

S2为准各开锁状态,在s2状态下再读数时,即RDD为1时,控制单元进入错  图10.2.16控制单元ASM图误状态S5,否则等待开锁信号TRy,rRy为1时,控制单元由s2状态进入开锁状态S4,并输出0PEⅣ开锁命令。在上述过程中,任何一次送人的数码与开锁密码的数值不一致,或者READ开关和rRy开关使用的顺序与规定的不符,都将使控制单元进人错误状态S5,同时控制单元发出错误信息ERROR。根据图10.2.16所示的数字密码锁控制单元的ASM图,得出状态图,如

图10,2.17所示。ASM图中的状态框与状态图中的状态相对应,判断框中的条件是状态转换的输入条件,状态框中的输出与状态图中的输出相对应。例如在接受数码s1状态,如果条件rRy.READ・B・y0r为1,系统转到S3状态等待

或快闪叠栅MOs管中的任意一种。未经编程的浮栅MOs管,与普通N沟道增强型MOS管一样,当栅极加正常的逻辑高电平时,管子处于导通状态,否则截止。而经过编程处理的浮栅MOs管,始终处于截止状态,相当于“熔丝”断开一样。

根据图4.5.4(a)所示电路的逻辑要求,经过编程将图4.5.4(c)中的T2、T4断开。由于输入信号接在MOs管的栅极,所以输人信号低电平有效,即A=0,A=1时,T1导通,无论输人信号C为何值,乙=0。当A、c均为1时,T1、T3均截止,L=1。所以该电路实现与逻辑艺=AC。另外在图4.5.4(c)中,上拉电阻实际是由P沟道MOs管构成的。

浮栅MOs管开关,上面介绍了可擦除PLD采用浮栅MOs管,而浮栅MOs管又分为叠栅注入MOs(SIMOs①)管、浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOs②)管和快闪(Flash)叠栅MOs管。不同的浮栅MOS管连接的PLD,编程信息的擦除方法也不同。SIMOs管连接的PLD,采用紫外线照射擦除;Flotox MOs管和快闪叠栅MOs

管,采用电擦除方法。

SIMOS管开关,SIMOs管的结构及符号如图4.5,5(a)所示。它是一个N沟道增强型MOs管,有两个多晶硅栅极,控制栅gc和浮置栅gf。浮栅被绝缘的Sio2包围着。编程处理前,浮栅上没有电荷,与普通MOs管一样。当控制栅加正常工作的高电平时,SIMOs管处于导通状态,此时的开启电压为%1,转移特性如图4.5.5(b)所示。编程时漏源间加正电压(大于12Ⅴ),漏极与衬底间的PN结产生雪崩击穿,若同时在控制栅加脉冲电压(幅值大于12Ⅴ),则雪崩产生的高能电子,在栅极电场的作用下,穿过Sio2层注人到浮栅上。编程电压撤除后,因浮栅被绝缘层包围,注入的电子无放电通路,可以长期保留,此时SIMOs管的开启电压升高到7”,特性曲线右移,如图4,5.5(b)所示。因此,控制栅加正常逻辑高电

平也不能达到其开启电压,SIMOs管始终截止,相当于断开一样。