SKM100GAX173DDRAM的操作方式比SRAM要复杂些,这里只举出几种典型操作。

读/写操作

读/写操作时,首先RAs和CAS先后变为低电平,将行和列地址分别送入相应地址寄存器。然后在读写控制信号WE作用下完成读/写操作。读操作时,输出使能0E应为低电平。操作时序如图7.2.9(a)所示。

页模式操作

所谓“页”是指同一行的所有列构成的存储单元。页模式下的读写操作与一般读写操作的差别在于不改变行地址,而只改变列地址。但行地址选择RAS必须始终保持低电平。页模式可以显著提高读写速度,其读操作时序如图7.2.9(b)所示。

RAs只刷新操作该操作只刷新行地址指定行的所有存储单元,不进行任何实际的读写操作。在整个操作周期CAs要保持高电平,其时序如图7.2.9(c)所示。该操作一次只刷新一行,且需要外部地址计数器提供刷新地址。

系Row Address strobe的缩写。

系Column Address strobe的缩写。

Cms先于R/4S有效的刷新操作

执行该操作时,CAs首先变为低电平,然后RAS变为低电平。此时,

DRAM内部的刷新控制及定时电路,控制刷新计数器连续生成刷新地址进行刷

新操作。

一般的DRAM每行刷新的间隔时间为15.6 us(目前也有7.8 us的),典

型的刷新操作时间小于100 ns。刷新时间只占刷新周期的0.64%,所以DRAM

用于读写操作的时间实际上超过99%。

与SRAM的发展类似,DRAM也有同步DRAM(SDRAM)、双倍数据传输

率DRAM(DDR SDRAM)和四倍数据传输率DRAM(QDR SDRAM)。

电容法测量 可用电容表或具有电容测量功能的数字万用表,来测量晶振的电容量,可大致判断出晶振是否已变值。若测得晶振的容量大于近似值或无容量,则可确定该晶振已变值或开路损坏。