S1CB-TR由于DRAM的存储单元结构简单,其集成度远高于SRAM,最大容量已达1 Gbit,时钟最高工作频率达250 MHz。所以同等容量情况下,DRAM更廉价。

目前,DDR SDRAM已成为个人电脑的主流内存。其改进型DDR ⅡSDRAM将很可能成为下一个主流内存。表7.2,3所示为几种DRAM产品。

存储容量的扩展

目前,尽管各种容量的存储器产品已经很丰富,且最大容量已达1 Gbit以上,用户能够比较方便地选择所需要的芯片。但是,只用单个芯片不能满足存储容量要求的情况仍然存在。个人电脑中的内存条就是一个典型的例子,它由焊在一块印制电路板上的多个芯片组成。此时,便涉及存储容量的扩展问题。扩展存储容量的方法可以通过增加字长(位数)或字数来实现。

字长(位数)的扩展

通常RAM芯片的字长为1位、4位、8位、16位和32位等。当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时,需要对RAM实行位扩展。

位扩展可以利用芯片的并联方式实现,即将RAM的地址线、读/写控制线和片选信号对应地并联在一起,而各个芯片的数据输人/输出端作为字的各个位线。如图7.2.10所示,用4个4K×4位RAM芯片可以扩展成4K×16位的存储系统。

字数的扩展,字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选使能输人端来实现。例如,利用2线一4线译码器74139将4个8K×8位的RAM芯片扩展为32K×8位的存储器系统。扩展方式如图7,2,11所示,图中,存储器扩展所要增加的地址线我4、A“与译码器的74139的输人相连,译码器的输出‰~y3分别接至4片RAM的片选信号控制端CE。这样,当输入一个地址码(A14~A0)时,只有一片RAM被选中,从而实现了字的扩展。

静电容 是指等效电路中与串联臂并接的电容,称为并电容.通常用C0表示。

负载电容 晶振相当于电感.组成振荡电路时需配接外部电容即负载电容。负载电容是与晶体一起决定负载谐振频率y・L的有效外界电容.通常用CL表示。

在应用晶体时,负载电容(CL)的值,才能使振荡频率符合晶振的。 常见的负载电容为8pF、12pF、15pF、20pF、30pF、5opF、100pF.推荐负载电容为10pF、20pF、30pF、 50pF、 100pF。

负载谐振频率FI'是指在规定条件下,晶体与一负载电容串联或并联,其组合阻抗呈现为阻性时的两个频率中的一个频率。

在串联负载电容时,fL是两个频率中较低的一个;在并联负载电容时,fL则是两个频率申较高的一个。

动态电阻R1 是指串联谐振频率下的等效电阻,用几表示。

负载谐振电阻 是指在负载谐振频率时呈现的等效电阻,用R1'表示。通常情况下:RL=Ri(1△C:/cL)/2。

激励电平 是指晶振工作时消耗的有效功率。在振荡回路中,激励电平应大小适中,既不能过激励,也不能欠激励。50\/、 20VV、 1 0VV、 1VV、 o.1VV l等。