NTZD3156CT1G基本门电路的表示方式，PLD中基本门电路符号如图4.5.3所示。图4.5.3(a)和图4.5,3(b)分别为与门L1=ABC和或门无2=处+B+C。由于L3=AAB B=0,图4.5.3(c)给出了与门输出恒等于0的简化画法。图4.5,3(d)中与门的所有输入项均不接通,保持“悬浮”的1状态,即L4=1。图4.5.3(e)为具有互补输出的输入缓冲器。图4.5.3(f)为三态输出缓冲器。

编程连接技术，早期的PLD采用双极型连接技术,对于图4.5.4(a)的逻辑电路,单元的连接是由一个二极管与金属熔丝串接在一起,如图4,5.4(b)所示。编程时,用比工作电流大许多的电流,将不需要连接的熔丝烧断。由于熔丝烧断后不能恢复,这种方法只能进行一次编程。在门阵列中表示“单元”连接状况的阵列图,称为熔丝图,并且这个名称被沿用下来。

在CMOs的PLD中,常采用可擦除的编程方法,即可以对器件进行多次编程。可擦除CMOs技术用浮栅MOs管代替“熔丝”,如图4.5.4(c)所示,图中MOs管为浮栅MOs符号,它可以是叠栅注人MOs、浮栅隧道氧化层MOs或快闪叠栅MOs管中的任意一种。未经编程的浮栅MOs管,与普通N沟道增强型MOS管一样,当栅极加正常的逻辑高电平时,管子处于导通状态,否则截止。而经过编程处理的浮栅MOs管,始终处于截止状态,相当于“熔丝”断开一样。

根据图4.5.4(a)所示电路的逻辑要求,经过编程将图4.5.4(c)中的T2、T4断开。由于输入信号接在MOs管的栅极,所以输人信号低电平有效,即A=0,A=1时,T1导通,无论输人信号C为何值,乙=0。当A、c均为1时,T1、T3均截止,L=1。所以该电路实现与逻辑艺=AC。另外在图4.5.4(c)中,上拉电阻实际是由P沟道MOs管构成的。

浮栅MOs管开关，上面介绍了可擦除PLD采用浮栅MOs管,而浮栅MOs管又分为叠栅注入MOs(SIMOs①)管、浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOs②)管和快闪(Flash)叠栅MOs管。不同的浮栅MOS管连接的PLD,编程信息的擦除方法也不同。SIMOs管连接的PLD,采用紫外线照射擦除;Flotox MOs管和快闪叠栅MOs

管,采用电擦除方法。