430857-501快速恢复二极管的正向压降与普通硅整流二极管相似,其特点是反向恢复时间小,耐压比肖特基二极管高得多,常用作中频整流元件。快速恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快速恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快速恢复二极管的外形如图4-12所示。

通常 ,5~20A的快速恢复二极管管采用To-220FP塑料封装 ,20A以上的大功率快速恢复二极管采用顶部带金属散热片的To-3P塑料封装 ,5A以下的快速恢复二极管则采用DO-41、 DO-15或 Do-27等规格塑料封装。 采用To-220或 TO-3P封装的大功率快速恢复二极管有单管和双管之分。 双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。

肖特基二极管具有反向恢复时间很短、正向压降较低的特性,常用于高频整流、检波、高速脉冲箱等。肖特基二极管以多数载流子导电的,其反向饱和电流比以少数载流子导电的普通二极管大得多。同时由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应甚微,其频率响应仅受到时间常数(RC)限制,是高频和快速开关的理想器件,工作频率可达100GHz。

肖特基二极管在结构上与普通二极管有很大区别,其内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(Sio2)电场消除材料、N一外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成 ,在N型基片和阳极金属之间形成 肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极 ,N型基片接电源负极)时 ,肖特基势垒层变窄 .其内阻变小;反之 ,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时 ,肖特基势垒层则变宽 ,其内阻变大。