电路说明和要求:
发布时间:2019/6/23 18:07:42 访问次数:1844
指数上升率
电路说明和要求:脉冲发生器提供如图5-50所示的具有规定幅值和可调指数电压上升率的指数波形。 G6K-2P-12VDC
通过实际曲线的0.1‰M和0.63‰M两点的理论指数曲线应有时间常数⒎t=0.63/DM/ldWdrl在0.1‰M和0.9‰M之间,电压偏离理论指数曲线应不大于5%‰M。
测量程序
(1)设定规定温度值;
(2)由脉冲发生器增大电压的幅值到规定值,在示波器上显示;
(3)由脉冲发生器调整电压上升率到规定值,在示波器上显示;
(4)在示波器上检验晶闸管两端的电压波形;
如果晶闸管能保持住断态,则额定值得到验证。
场效应管参数测试方法
场效应管的参数测试方法主要是参考《GB/T笱86―%半导体器件分立器件:第8部分场效应晶体管》。由于功率场效应管(VDMOs)应用广泛,且其相应的参数测试方法在GB/T绣86―%中未有明确规定,因此在本文中主要以VDMOs为例来介绍场效应管的参数测试方法,除部分VDMOS独有参数外(寄生二极管参数),其余方法与普通场效应管类似,为更好地理解以及实际可操作性,本文在GB/T笱86-94的基础上对测试原理方法进行了简化。
指数上升率
电路说明和要求:脉冲发生器提供如图5-50所示的具有规定幅值和可调指数电压上升率的指数波形。 G6K-2P-12VDC
通过实际曲线的0.1‰M和0.63‰M两点的理论指数曲线应有时间常数⒎t=0.63/DM/ldWdrl在0.1‰M和0.9‰M之间,电压偏离理论指数曲线应不大于5%‰M。
测量程序
(1)设定规定温度值;
(2)由脉冲发生器增大电压的幅值到规定值,在示波器上显示;
(3)由脉冲发生器调整电压上升率到规定值,在示波器上显示;
(4)在示波器上检验晶闸管两端的电压波形;
如果晶闸管能保持住断态,则额定值得到验证。
场效应管参数测试方法
场效应管的参数测试方法主要是参考《GB/T笱86―%半导体器件分立器件:第8部分场效应晶体管》。由于功率场效应管(VDMOs)应用广泛,且其相应的参数测试方法在GB/T绣86―%中未有明确规定,因此在本文中主要以VDMOs为例来介绍场效应管的参数测试方法,除部分VDMOS独有参数外(寄生二极管参数),其余方法与普通场效应管类似,为更好地理解以及实际可操作性,本文在GB/T笱86-94的基础上对测试原理方法进行了简化。
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