梁式引线结构的键合

   ①芯片破裂。QGFMES

   ②梁从芯片上浮起。

   ③键合处梁断裂。

   ④芯片边缘处梁断裂。

   ⑤梁在键合处和芯片边缘之间断裂。

   ⑥键合点浮起。

   ⑦金属化层从芯片浮起使键合区分离。

   ⑧金属化层浮起。

   非破坏性引线键合强度试验

   按采用的引线材料,在外加应力小于规定应力时,如果引线断裂或焊点脱落,都应视为失效。

   传统的半导体封装以铝线和金线为基础。功率器件使用铝线作为连接裸片焊盘与引线框架的互联通道,非功率器件使用金线作为互联通道。由于金的价格昂贵,一直在寻找替代材料。铜作为物理和化学性质与金接近而价格低廉的金属材料,自引起关注。目前对铜引线键合工艺的关键问题进行了系统研究。这些研究内容包括自动焊线机的机器参数调整、焊球显微硬度测试、击穿电压测试、焊球高温老化形变、焊球接触电阻测试等。这些是铜焊线替

代金焊线后影响产品可靠性及产品特性参数的关键问题。但目前标准尚未有对铜引线键合强度的判定。因此,铜引线键合强度判定技术研究值得重视。