当带有静电荷的物体与非带电导体相接触时,带电体会通过非带电导体放电,这称为静电放电(Elcctro Statlc Disc・llae,EsD)。带电体如果通过微电子器件来放电的,会给器件带来静电损伤,寻致失效。在H常I作过程中,器件会经历不同的阶段,如用塑料包装、从绝缘包装取出、安装和运输等:这些过程均可能引起静电放电,由此可见,静电放电(ESD)对器件造成失效及引起电路的干扰等问题.

   GAL20V8B-10LJI

   通过ESD试验测和验证器件及设备的抗静电放电干扰的能力。闫前很多标准都将EsD试验作为推荐或强制性内容纳入其中:静电放电是指带电物体的静电场强度超过某一极限值时,使带电物体附近帘问的物质产生电离的一种现象,模型主要有HR・M、MM及CDM

三种静电放电模型J对于集成电路主要是按照GJB548B-2005方法3015进行的。本方法给出了依据微电路受静电放电(EsD)作用造成损伤和退化的敏感度对微电路进行分类的程序。分级结果可用于GJB597确定合适的包装和操作要求,并提供符合要求的分级数据。