二极管V-l特性

   1.正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-l特性对应正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,如图5-5所示,但相对来说流过管子的电流却很大,IDT7204L12J因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。硅管的门坎电压/th(又称死区电压)约为0.5V,锗管的‰h约为0。Ⅳ,当正向电压大于/th时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。

    2,反向特性:二极管夕卜加反向偏置电压时的Vˉ丨特性P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结,形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少,所以,一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级一般为:硅管nA级,锗管lnA级,如图5-S所示。温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。

   3.反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性

   当增加反向电压时,因在一定温度条件下,少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫作二极管的反向击穿,其原因与PN结击穿相同,如图5-5所示。