二极管工作特性

   二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 IDT7164L70DB当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。

   正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-丨牛寺性对应正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,如图5-5所示,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。硅管的门坎电压/th(又称死区电压)约为0.5V,锗管的‰h约为0。Ⅳ,当正向电压大于/th时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。