GJB4027《军用电子元器件破坏性物理分析方法》详细给出了电子元器件16大类,49小类产品DR⒋试验中对内部目检(如需要)的试验方法。D1213A-04S-7在鉴定检验的过程中,元件类产品的内部目检试验方法主要由相应产品总规范和详细规范具体规定,器件类产品的内部目检试验方法主要参考GJB548及GJB128的相关条款进行,并按照产品详细规范具体执行。

   GJB548主要针对微电子器件。其中方法⒛1o中给出了集成电路(单芯片)内部目检的详细规定。方法2013针对破坏性物理分析(D⒕)程序中的内部日检给出了DP~A的内部目检,其主要日的是打开器件的外壳进行试验后的器件检查,以证实在以前的试验中没有产生缺陷和损坏。方法2014给出了内部目检和结构检查的详细规定,该方法的目的是验证内部材料、设计和结构是否符合适用的订购文件的要求,通常是在对特定器件型号进行鉴定或质量一致性检验时,采用抽样的方式进行,以证明是否与订购文件一致,并暴露未文件规定的元件型号的变更。方法2017给出了混合集成电路内部目检的详细规定,其目的是检查混合集成电路、多芯片微电路和多芯片组件微电路的内部材料、结构和制造工艺。方法2o32给出了无源元仵的目检的详细规定,该方法的目的是检查微电子器件(包括射频/微波)中采用的无源元件是否存在该方法中所述的相关缺陷。

    GJB128主要针对半导体分立器件。其中方法2"2给出了晶体管内部目检(封帽前)的详细规定,该方法的目的是验证双极型晶体管、场效应晶体管、分立单片、多芯片和多结器件的结构和工艺。本检验不包括微波和某些选择的射频器件,该检验在封帽或包封前完成是为了检测器件内部将导致器件在正常使用下失效的缺陷,以及验证器件与适用的详细规范的要求是否一致。方法2o73给出了芯片目检(半导体二极管)的详细规定,该方法的目的是检验半导体芯片质量及加工质量是否符合详细规范的要求。方2o74给出了内部目检(半导体二极管)的详细规定,该方式的目的是检验半导体二极管及该方法中所描述的其他两端引出半导体器件的材料、设计、结构及加工质量是否符合要求。方法⒛75给出了开帽内

部设计目检的详细规定,该方法的目的是验证设计和结构是否符合己获鉴定批准的设计鉴定报告中有关丈件的规定,该方法通常用抽样方法在规定类型器件鉴定或质量一致性检验时使用。